[發(fā)明專利]球面結(jié)構(gòu)的制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010102952.X
• 申請日: 2020-02-19
• 公開（公告）號: CN113277465A
• 公開（公告）日: 2021-08-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 潘強(qiáng)
• 申請（專利權(quán)）人: 上海新微技術(shù)研發(fā)中心有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;H01L21/308
• 代理公司: 北京知元同創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11535
• 代理人: 劉元霞

1.一種球面結(jié)構(gòu)的制作方法，包括：

在基片表面形成掩模圖形；

對所述掩模圖形進(jìn)行回流處理，形成凸球面的掩模圖形；

以所述凸球面的掩模圖形為掩摸，使用深反應(yīng)離子刻蝕機(jī)臺刻蝕所述基片的表面，將所述凸球面的掩模圖形消耗完，從而在所述基片的表面形成凸球面。

2.如權(quán)利要求1所述的球面結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，

所述回流處理的溫度為120℃～200℃，時(shí)間為3-10分鐘。

3.如權(quán)利要求1所述的球面結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，

在利用深反應(yīng)離子蝕刻機(jī)臺進(jìn)行刻蝕的步驟中，所述基片與所述凸球面的掩模圖形的刻蝕速率選擇比為1.2:1～3:1。

4.如權(quán)利要求1所述的球面結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，

在利用深反應(yīng)離子蝕刻機(jī)臺進(jìn)行刻蝕的步驟中，蝕刻氣體為八氟環(huán)丁烷(C₄F₈)和六氟化硫(SF₆)的混合氣體。

5.如權(quán)利要求1所述的球面結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，

在利用深反應(yīng)離子蝕刻機(jī)臺進(jìn)行刻蝕的步驟中，所述基片的溫度為0℃-10℃，機(jī)臺內(nèi)的壓力為20mTorr-80mTorr，蝕刻氣體的流量為100-500sccm，等離子體功率為1000W-2500W,偏壓功率200-800W,蝕刻時(shí)間20-120min。