[發(fā)明專利]磁共振射頻線圈、磁共振裝置及磁共振射頻線圈解耦方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010102930.3 | 申請日: | 2020-02-19 |
| 公開(公告)號: | CN111208459B | 公開(公告)日: | 2022-09-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李勝 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢聯(lián)影生命科學(xué)儀器有限公司 |
| 主分類號: | G01R33/34 | 分類號: | G01R33/34;G01R33/341;G01R33/36 |
| 代理公司: | 北京華進(jìn)京聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11606 | 代理人: | 李紅艷 |
| 地址: | 430206 湖北省武漢市江夏區(qū)東湖新*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 磁共振 射頻 線圈 裝置 方法 | ||
1.一種磁共振射頻線圈,其特征在于,包括:
絕緣筒;
貼附于所述絕緣筒外表面的多個表面線圈,每個所述表面線圈串聯(lián)有兩個對稱設(shè)置的金屬導(dǎo)體;
相鄰的所述表面線圈交疊設(shè)置,次相鄰的所述表面線圈的所述金屬導(dǎo)體交疊設(shè)置,且交疊設(shè)置的所述金屬導(dǎo)體之間沿垂直于貼合面方向的距離可調(diào)節(jié),其中,所述貼合面是指所述金屬導(dǎo)體投影于所述絕緣筒外表面形成的面;
相鄰的所述表面線圈交疊設(shè)置所形成的第一重疊區(qū)域與所述次相鄰的所述表面線圈的所述金屬導(dǎo)體交疊設(shè)置所形成的第二重疊區(qū)域之間不相交。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁共振射頻線圈,其特征在于,所述金屬導(dǎo)體為弧形。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁共振射頻線圈,其特征在于,所述金屬導(dǎo)體的材料為銅。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁共振射頻線圈,其特征在于,所述表面線圈包括無磁性導(dǎo)線,以及多個電容,所述多個電容通過所述無磁性導(dǎo)線串聯(lián),且所述金屬導(dǎo)體通過所述無磁性導(dǎo)線串聯(lián)于兩個電容之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁共振射頻線圈,其特征在于,所述多個電容之間的位置關(guān)系,包括等間距設(shè)置、對稱設(shè)置、周期性變化的間距設(shè)置中的一種或多種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁共振射頻線圈,其特征在于,所述金屬導(dǎo)體焊接于所述表面線圈的印制電路板。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁共振射頻線圈,其特征在于,所述絕緣筒為圓柱形結(jié)構(gòu)。
8.一種磁共振裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求1至7任一項所述的磁共振射頻線圈。
9.一種對如權(quán)利要求1至7任一項所述的磁共振射頻線圈進(jìn)行磁共振射頻線圈解耦方法,其特征在于,包括:
調(diào)整相鄰的兩個所述表面線圈之間的位置,以改變相鄰的兩個所述表面線圈之間重疊面積,以實現(xiàn)對相鄰的兩個所述表面線圈之間的解耦;
調(diào)節(jié)交疊設(shè)置的兩個所述金屬導(dǎo)體之間沿垂直于所述貼合面方向的距離,以改變交疊設(shè)置的兩個所述金屬導(dǎo)體之間的重疊面積,實現(xiàn)次相鄰的兩個所述表面線圈之間的解耦。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁共振射頻線圈解耦方法,其特征在于,所述方法還包括:
調(diào)整交疊的兩個所述金屬導(dǎo)體的形狀,以改變交疊設(shè)置的兩個所述金屬導(dǎo)體之間的重疊面積,實現(xiàn)次相鄰的兩個所述表面線圈之間的解耦。
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