[發明專利]焊盤結晶缺陷的返工方法及半導體器件

在審

• 申請號: 202010102875.8
• 申請日: 2020-02-19
• 公開（公告）號: CN111276399A
• 公開（公告）日: 2020-06-12
• 發明（設計）人: 李喬偉;胡勝;趙長林
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/02;H01L23/488
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種焊盤結晶缺陷的返工方法，其特征在于，包括：

提供前端器件，所述前端器件上形成有金屬層，所述金屬層上形成有聚酰亞胺層，所述聚酰亞胺層中形成有暴露部分所述金屬層的開口，所述開口暴露出所述金屬層的部分為焊盤，所述焊盤上形成有結晶缺陷；

執行刻蝕工藝，以所述聚酰亞胺層為掩膜，刻蝕去除所述焊盤上的部分所述金屬層，同時轟擊所述結晶缺陷，以使所述結晶缺陷離散；

執行清洗工藝，以將所述結晶缺陷去除；

執行塑化工藝，在所述塑化工藝中從所述聚酰亞胺層中揮發出小分子量聚合物覆蓋所述焊盤以形成保護層。

2.如權利要求1所述的焊盤結晶缺陷的返工方法，其特征在于，所述塑化工藝包括：在N₂氣氛下，所述前端器件在溫度范圍110～230℃下，加熱至少3個小時，使所述聚酰亞胺層發生交聯反應揮發出小分子量聚合物。

3.如權利要求2所述的焊盤結晶缺陷的返工方法，其特征在于，所述塑化工藝包括：依次進行在120℃～130℃下加熱至少1小時；在215℃～225℃下加熱至少1小時；在120℃～130℃下加熱至少1小時。

4.如權利要求1所述的焊盤結晶缺陷的返工方法，其特征在于，所述保護層的厚度為10nm～100nm。

5.如權利要求1所述的焊盤結晶缺陷的返工方法，其特征在于，在執行刻蝕工藝的過程中，所述聚酰亞胺層也被消耗，剩余厚度的所述聚酰亞胺層作為所述前端器件的鈍化層。

6.如權利要求1至5任意一項所述的焊盤結晶缺陷的返工方法，其特征在于，所述聚酰亞胺層的厚度為1μm～40μm。

7.如權利要求1至5任意一項所述的焊盤結晶缺陷的返工方法，其特征在于，所述聚酰亞胺層通過聚酰亞胺材料旋涂、烘烤后形成。

8.如權利要求7所述的焊盤結晶缺陷的返工方法，其特征在于，所述烘烤溫度為60℃～780℃，所述烘烤時間為30min～360min。

9.如權利要求1至5任意一項所述的焊盤結晶缺陷的返工方法，其特征在于，所述金屬層和所述聚酰亞胺層之間還形成有絕緣層。

10.如權利要求1至5任意一項所述的焊盤結晶缺陷的返工方法，其特征在于，所述金屬層的材質包括鋁。

11.一種半導體器件，其特征在于，包括：

前端器件；

金屬層，所述金屬層位于所述前端器件的表面；

聚酰亞胺層，所述聚酰亞胺層覆蓋所述金屬層；

開口，所述開口貫穿所述聚酰亞胺層暴露出部分所述金屬層，所述開口暴露出所述金屬層的部分為焊盤；

保護層，所述保護層覆蓋所述焊盤，所述保護層的材質包括聚酰亞胺小分子量聚合物。

12.如權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，所述金屬層和所述聚酰亞胺層之間形成有絕緣層。