[發明專利]一種CdIn2

有效

• 申請號: 202010102721.9
• 申請日: 2020-02-19
• 公開（公告）號: CN111203234B
• 公開（公告）日: 2022-03-22
• 發明（設計）人: 張申;邢慶增;趙云帆;王啟源;蔣銀花;張文莉
• 申請（專利權）人: 江蘇大學
• 主分類號: B01J27/04
• 分類號: B01J27/04;B01J35/10;C01B3/04
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種CdIn₂S₄納米塊/SnIn₄S₈片狀堆集結構雙功能復合光催化劑的制備方法，包括如下步驟：

(1)根據摩爾比稱取一定質量的五水合四氯化錫、四水合氯化銦和硫代乙酰胺溶于一定體積的二甲基甲酰胺DMF中，攪拌20-40min形成無色透明溶液；

(2)稱取一定質量的CdIn₂S₄納米塊加入步驟(1)的透明溶液中，攪拌10-30min，超聲10-30min，形成均勻的懸濁液；

(3)將步驟(2)的懸濁液轉移至水熱反應釜中，恒溫反應一定時間后，待反應釜自然冷卻至室溫，離心回收，洗滌，干燥，制備得到CdIn₂S₄納米塊/SnIn₄S₈片狀堆集結構雙功能復合光催化劑。

2.根據權利要求1所述的一種CdIn₂S₄納米塊/SnIn₄S₈片狀堆集結構雙功能復合光催化劑的制備方法，其特征在于，步驟(1)中，五水合四氯化錫、四水合氯化銦和硫代乙酰用量比為0.2-5mmol：0.8-20mmol：2-50mmol；五水合四氯化錫與DMF的用量比為0.2-5mmol：50-130mL。

3.根據權利要求1所述的一種CdIn₂S₄納米塊/SnIn₄S₈片狀堆集結構雙功能復合光催化劑的制備方法，其特征在于，步驟(2)中，CdIn₂S₄納米塊的尺寸為20-180nm。

4.根據權利要求1所述的一種CdIn₂S₄納米塊/SnIn₄S₈片狀堆集結構雙功能 復合光催化劑的制備方法，其特征在于，步驟(3)中，反應溫度控制在80-160℃，反應時間控制在2-10小時。

5.一種CdIn₂S₄納米塊/SnIn₄S₈片狀堆集結構雙功能復合光催化劑，其特征在于，是通過權利要求1-4中任一項所述制備方法獲得的，CdIn₂S₄納米塊緊密的附著于SnIn₄S₈片狀堆集結構上，SnIn₄S₈片狀堆集結構中SnIn₄S₈納米片長為700nm-2um，寬為350nm-1.6um,微納米片的堆集厚度為15-60nm。

6.如權利要求5所述的CdIn₂S₄納米塊/SnIn₄S₈片狀堆集結構雙功能復合光催化劑，其特征在于，CdIn₂S₄納米塊在復合光催化劑中的質量百分比為5％-45％。

7.根據權利要求5所述的CdIn₂S₄納米塊/SnIn₄S₈片狀堆集結構雙功能復合光催化劑的用途，其特征在于，將其用于在可見光下光催化降解鹽酸土黃素。

8.根據權利要求5所述的CdIn₂S₄納米塊/SnIn₄S₈片狀堆集結構雙功能復合光催化劑的用途，其特征在于，將其用于太陽光下裂解水制氫氣。