[發明專利]表面增強拉曼散射的光流芯片及其清洗方法

有效

• 申請號: 202010102680.3
• 申請日: 2020-02-19
• 公開（公告）號: CN111282606B
• 公開（公告）日: 2022-01-28
• 發明（設計）人: 邢曉波;劉紹靜;李宗寶;徐宇;吳家隱;鄭志東;陳伊琳
• 申請（專利權）人: 華南師范大學
• 主分類號: B01L3/00
• 分類號: B01L3/00;G01N21/65
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰

1.一種表面增強拉曼散射的光流芯片，其特征在于，所述光流芯片包括：

基底(10)；

微流通道(20)，設置于所述基底(10)中，所述微流通道(20)用于容納待檢測溶液；

光纖(40)，包括光信號輸入端(41)和激發端(42)，所述光信號輸入端(41)用于接入光信號，所述激發端(42)設置于所述微流通道(20)內；

金屬納米島基底(30)，形成于所述激發端(42)的端面，所述金屬納米島基底(30)用于在外部激光的激發下產生表面等離子共振以及用于吸附待檢測溶液中的物質分子；

所述微流通道(20)包括相互連通的注入口(21)、檢測端口(22)和排出口(23)，所述注入口(21)用于注入待檢測溶液，所述排出口(23)用于排出待檢測溶液，所述檢測端口(22)用于供外部激光穿過，以激發所述金屬納米島基底(30)，所述微流通道(20)的正對所述檢測端口(22)的位置上設置有通孔，所述激發端(42)穿過所述通孔。

2.根據權利要求1所述的表面增強拉曼散射的光流芯片，其特征在于，所述金屬納米島基底(30)的厚度為10nm～40nm。

3.根據權利要求1所述的表面增強拉曼散射的光流芯片，其特征在于，所述金屬納米島基底(30)的材料為金、銀、銅中的任意一種。

4.一種如權利要求1至3任一項所述的表面增強拉曼散射的光流芯片的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法包括：

在所述微流通道(20)中通入去離子水，且使得去離子水淹沒所述金屬納米島基底；

在所述光信號輸入端(41)中接入光信號，經過預定時長后關閉光信號，并去除所述微流通道(20)中的去離子水。

5.根據權利要求4所述的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法還包括：

清洗完成后，將光流芯片放入真空干燥箱進行干燥。

6.根據權利要求4所述的清洗方法，其特征在于，所述光信號的波長范圍為500nm～800nm，功率范圍為10mW～100mW。

7.根據權利要求4所述的清洗方法，其特征在于，所述預定時長的范圍為2.2分鐘至6分鐘。

8.一種如權利要求1至3任一項所述的表面增強拉曼散射的光流芯片的檢測方法，其特征在于，所述檢測方法包括：

將待測溶液注入至所述微流通道(20)，并靜置預設時長；

向金屬納米島基底(30)發射激光，并通過共聚焦拉曼探測鏡頭探測金屬納米島基底(30)產生的表面增強拉曼散射信號。