[發(fā)明專利]顯示面板及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010102587.2
• 申請(qǐng)日: 2020-02-19
• 公開（公告）號(hào): CN111276632B
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 唐甲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/52
• 分類號(hào): H01L51/52;H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 李新干

1.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括陣列基板、位于所述陣列基板上的發(fā)光器件層、位于所述發(fā)光器件層上的彩膜層；

所述彩膜層包括多個(gè)色阻、位于相鄰兩個(gè)所述色阻之間的遮光層、及位于所述遮光層上的多個(gè)輔助電極；

其中，所述輔助電極與所述發(fā)光器件層的陰極層電連接，靠近顯示面板中心的所述輔助電極的電阻阻值小于遠(yuǎn)離所述顯示面板中心的所述輔助電極的電阻阻值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，靠近所述顯示面板中心的所述輔助電極與所述陰極層的接觸面積大于遠(yuǎn)離所述顯示面板中心的所述輔助電極與所述陰極層的接觸面積。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，靠近所述顯示面板中心的所述輔助電極的數(shù)量密度大于遠(yuǎn)離所述顯示面板中心的所述輔助電極的數(shù)量密度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，靠近所述顯示面板中心的所述輔助電極的厚度小于遠(yuǎn)離所述顯示面板中心的所述輔助電極的厚度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述遮光層包括第一遮光單元及位于所述第一遮光單元上的第二遮光單元；

所述第二遮光單元包括多個(gè)第二子遮光單元；

所述輔助電極位于所述第二子遮光單元上；

其中，靠近所述顯示面板中心的所述第二子遮光單元的數(shù)量密度大于遠(yuǎn)離所述顯示面板中心的所述第二子遮光單元的數(shù)量密度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述遮光層的厚度大于所述色阻的厚度；

所述遮光層搭接在所述色阻上。

7.一種顯示面板的制作方法，其特征在于，包括：

在陣列基板上形成發(fā)光器件層；

在第一基板上形成彩膜層，包括多個(gè)色阻、位于相鄰兩個(gè)所述色阻之間的遮光層、及位于所述遮光層上的輔助電極；

將所述彩膜層與所述發(fā)光器件層對(duì)位貼合，所述輔助電極與所述發(fā)光器件層的陰極層電連接；

其中，靠近顯示面板中心的所述輔助電極的電阻阻值小于遠(yuǎn)離所述顯示面板中心的所述輔助電極的電阻阻值。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，形成所述遮光層及所述輔助電極的步驟包括：

在第一基板上形成第一遮光單元；

在所述第一遮光單元上形成第二遮光單元；

在所述第二遮光單元上形成多個(gè)輔助電極；

其中，所述第二遮光單元包括多個(gè)第二子遮光單元，靠近所述顯示面板中心的所述第二子遮光單元的數(shù)量密度大于遠(yuǎn)離所述顯示面板中心的所述第二子遮光單元的數(shù)量密度。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，所述遮光層的厚度大于所述色阻的厚度；

所述遮光層搭接在所述色阻上。