[發明專利]具有源極區域區段和主體區域區段的晶體管器件

在審

• 申請號: 202010102083.0
• 申請日: 2020-02-19
• 公開（公告）號: CN111755505A
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發明（設計）人: 小倉尚;廣島崇;谷口敏光;P·A·布爾克
• 申請（專利權）人: 半導體組件工業公司
• 主分類號: H01L29/08
• 分類號: H01L29/08;H01L29/10;H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 章蕾

本發明題為“具有源極區域區段和主體區域區段的晶體管器件”。在至少一個總體方面，裝置可包括設置在半導體區域中并且包括柵極電極的第一溝槽和設置在半導體區域中的第二溝槽。該裝置可包括設置在第一溝槽與第二溝槽之間的臺面區域和設置在臺面區域的頂部部分中的第一導電類型的源極區域。該裝置包括設置在臺面區域的側中的第二導電類型的多個主體區域區段。多個主體區域區段沿著臺面區域的側限定與多個源極區域區段交替的圖案。

相關申請

本申請要求于2019年7月16日提交的美國非臨時申請號16/512,854的優先權和權益，該美國非臨時申請要求于2019年3月29日提交的美國臨時申請號62,826,736的優先權和權益，這兩份申請全文均以引用方式并入本文。

技術領域

本說明書涉及具有源極區域區段和主體區域區段的晶體管器件。

背景技術

一些晶體管器件可經受例如寄生雙極型晶體管的影響，該寄生雙極型晶體管可被觸發并且可防止晶體管器件的關閉。寄生雙極型晶體管可由于襯底電流而通過寄生雙極型晶體管的基極中的自偏置而觸發。因此，需要系統、方法和裝置來解決現有技術的不足并提供其它新穎且創新的特征。

發明內容

在至少一個總體方面，裝置可包括設置在半導體區域中且包括柵極電極的第一溝槽和設置在半導體區域中的第二溝槽。該裝置可包括設置在第一溝槽與第二溝槽之間的臺面區域和設置在臺面區域的頂部部分中的第一導電類型的源極區域。該裝置包括設置在臺面區域的側中的第二導電類型的多個主體區域區段。多個主體區域區段沿著臺面區域的側限定與多個源極區域區段的交替的圖案。

一個或多個實施方式的細節在附圖和以下描述中闡明。其他特征將從說明書和附圖中以及從權利要求書中顯而易見。

附圖說明

圖1是根據一個實施方式的示出晶體管的剖視圖的示意圖。

圖2示出了是圖1所示的晶體管的變型的晶體管的透視圖。

圖3是示出至少圖1和圖2所示的晶體管的實施方式的示意圖。

圖4示出了是圖1和圖2所示的晶體管的變型的另一個晶體管的透視圖。

圖5A和圖5B是示出至少圖1和圖4所示的晶體管的晶體管實施方式的示意圖。

圖6示出了是圖1所示的晶體管的變型的另一個晶體管的透視圖。

圖7A和圖7B是示出至少圖1和圖6所示的晶體管的晶體管實施方式的示意圖。

圖7C至圖7E是示出棋盤格圖案化的主體區域區段和源極區域區段的其他示例的示意圖。

圖8A至圖8H示出了臺面區域的上部區域的各種橫截面，該橫截面可根據至少圖1所示的晶體管的變型沿著縱向軸線組合。

圖9是可包括圖1至圖8H中的晶體管和橫截面的各種組合的晶體管的示例性平面圖。

圖10A至圖10H是示出制造如本文所述的晶體管中的一個或多個晶體管的過程的示意圖。

圖11是示出形成晶體管的方法的流程圖。

圖12是示出晶體管的閂鎖場景的曲線圖。

圖13是示出根據本文所述的實施方式的晶體管的操作的曲線圖。

圖14和圖15是示出與其他晶體管相比，如本文所述的具有區段的晶體管的特性的曲線圖。

具體實施方式