[發明專利]發光二極管的驅動器與相關的照明系統有效
| 申請號: | 202010101983.3 | 申請日: | 2016-02-18 |
| 公開(公告)號: | CN111629487B | 公開(公告)日: | 2023-02-28 |
| 發明(設計)人: | 黃知澍;吳長協;謝明勛 | 申請(專利權)人: | 晶元光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H05B45/345 | 分類號: | H05B45/345;H02M7/06;H02M1/42 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 李芳華 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光二極管 驅動器 相關 照明 系統 | ||
1.一種驅動器,用以驅動發光元件,包含有:
緩沖層;
驅動電路,形成于該緩沖層之上,包含有第一高電子遷移率場效晶體管,該第一高電子遷移率場效晶體管用以電性連接該發光元件,其中該第一高電子遷移率場效晶體管包含有第一平臺區,二維電子云形成于該第一平臺區內;
整流電路,形成于該緩沖層之上,電性連接該驅動電路;以及
第一復合式二極管,電性連接于該驅動電路及該整流電路之間,其中該第一復合式二極管包含有:
第四平臺區,二維電子云形成于該第四平臺區內;
第一金屬片,形成于該第四平臺區之上且和該第四平臺區形成肖特基接觸,以作為該第一復合式二極管之陽極;
第二金屬片,形成于該第四平臺區之上且和該第四平臺區形成肖特基接觸,其中該第二金屬片電性連接該第一金屬片;及
第三金屬片,形成于該第四平臺區之上且和該第四平臺區形成歐姆接觸,以作為該第一復合式二極管之陰極。
2.一種驅動器,用以驅動發光元件,包含有:
緩沖層;
驅動電路,形成于該緩沖層之上,包含有第一高電子遷移率場效晶體管,該第一高電子遷移率場效晶體管用以電性連接該發光元件;
整流電路,形成于該緩沖層之上,電性連接該驅動電路;以及
第二復合式二極管,電性連接于該驅動電路及該整流電路之間;其中該第二復合式二極管包含有:
第五平臺區及第六平臺區,二維電子云形成于該第五平臺區內及該第六平臺區內;
第四金屬片,形成于該第五平臺區之上且和該第五平臺區形成肖特基接觸,以作為該第二復合式二極管之陽極;
第五金屬片,形成于該第六平臺區之上且和該第六平臺區形成肖特基接觸,其中該第五金屬片電性連接該第四金屬片;及
第六金屬片,形成于該第六平臺區之上且和該第六平臺區形成歐姆接觸,以作為該第二復合式二極管之陰極。
3.如權利要求1所述的驅動器,其中該第一平臺區與該第四平臺區分別包含高價帶間隙層與通道層,二維電子云形成于通道層內鄰接于高價帶間隙層量子阱。
4.如權利要求2所述的驅動器,其中該第五平臺區與該第六平臺區分別包含高價帶間隙層與通道層,二維電子云形成于通道層內鄰接于高價帶間隙層量子阱。
5.如權利要求1或2所述的驅動器,還包含第二高電子遷移率場效晶體管,該第二高電子遷移率場效晶體管串聯該第一高電子遷移率場效晶體管,串聯的該第二高電子遷移率場效晶體管與該第一高電子遷移率場效晶體管用以并聯該發光元件。
6.如權利要求5所述的驅動器,其中該第二高電子遷移率場效晶體管的導通電壓大于該第一高電子遷移率場效晶體管的導通電壓。
7.如權利要求5所述的驅動器,其中該第二高電子遷移率場效晶體管包含有柵極、通道層與調整部,該調整部位于該柵極與該通道層之間,該調整部用以提供電場。
8.如權利要求5所述的驅動器,還包含齊納二極管,電性連接于該整流電路與該第二高電子遷移率場效晶體管的控制端之間。
9.如權利要求1或2所述的驅動器,還包含電容,并聯該發光元件,該第一高電子遷移率場效晶體管串聯于該發光元件。
10.如權利要求1或2所述的驅動器,還包含熱敏電阻,電性連接于該第一高電子遷移率場效晶體管的一端。
11.如權利要求1或2所述的驅動器,其中該驅動電路包含有第三高電子遷移率場效晶體管,該第三高電子遷移率場效晶體管經由二端并聯于該整流電路,該第三高電子遷移率場效晶體管的控制端電性連接該二端其中之一。
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