[發(fā)明專利]一種顯示用基板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010101790.8 | 申請日: | 2020-02-19 |
| 公開(公告)號: | CN111293147A | 公開(公告)日: | 2020-06-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李偉;夏晶晶;周斌;宋威;王慶賀;劉軍;張揚 | 申請(專利權(quán))人: | 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 230012 *** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 顯示 用基板 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示用基板,其特征在于,包括:
襯底;
設(shè)置在所述襯底上的平坦層;
第一像素界定層;所述第一像素界定層設(shè)置在所述平坦層遠離所述襯底的一側(cè),且與所述平坦層相接觸;
所述平坦層的材料和所述第一像素界定層的材料均為極性材料;所述平坦層的材料與水的接觸角和所述第一像素界定層的材料與水的接觸角的差值小于等于60°。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示用基板,其特征在于,所述平坦層的材料與水的接觸角的范圍為40°~50°;所述第一像素界定層的材料與水的接觸角的范圍為60°~80°。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示用基板,其特征在于,所述第一像素界定層能夠遮光。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示用基板,其特征在于,所述顯示用基板還包括設(shè)置在所述第一像素界定層遠離所述襯底一側(cè)的第二像素界定層,所述第一像素界定層包括多個第一開口部,所述第二像素界定層包括多個第二開口部,所述第二開口部將所述第一開口部露出;
所述顯示用基板還包括:設(shè)置在所述第一開口部的發(fā)光層;其中,所述第一像素界定層的材料為親液材料,所述第二像素界定層的材料為疏液材料;所述親液材料對溶解發(fā)光層的材料的溶液具有親液性能,所述疏液材料對溶解有機電致發(fā)光材料的溶液具有疏液性能。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示用基板,其特征在于,所述第一像素界定層的材料主要由黑色亞克力組成,所述第二像素界定層的材料主要由聚丙烯酸酯組成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示用基板,其特征在于,所述第二像素界定層的材料還包括正性感光劑或者負性感光劑。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示用基板,其特征在于,所述第一像素界定層遠離所述襯底一側(cè)的表面在所述襯底上的正投影與所述第二像素界定層靠近所述襯底一側(cè)的表面在所述襯底上的正投影重合。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示用基板,其特征在于,所述平坦層的材料為有機硅氧烷樹脂。
9.一種顯示裝置,其特征在于,包括權(quán)利要求1-8任一項所述的顯示用基板。
10.一種顯示用基板的制備方法,其特征在于,包括:
在襯底上形成平坦層;
在所述平坦層上形成第一像素界定層;
所述平坦層的材料和所述第一像素界定層的材料均為極性材料;所述平坦層的材料與水的接觸角和所述第一像素界定層的材料與水的接觸角的差值小于等于60°。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制備方法,其特征在于,還包括:
在所述第一像素界定層上形成第二像素界定層;所述第一像素界定層包括多個第一開口部,所述第二像素界定層包括多個第二開口部,所述第二開口部將所述第一開口部露出;所述第一像素界定層的材料為親液材料,所述第二像素界定層的材料為疏液材料;
所述親液材料對溶解有機電致發(fā)光材料的溶液具有親液性能,所述疏液材料對溶解有機電致發(fā)光材料的溶液具有疏液性能;
采用噴墨打印的方法在所述第一開口部形成發(fā)光層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備方法,其特征在于,形成所述第一像素界定層和所述第二像素界定層包括:
在所述平坦層上依次涂覆第一負性光阻和第二負性光阻以形成層疊設(shè)置的第一薄膜和第二薄膜;
對所述第一薄膜和所述第二薄膜進行曝光、顯影,以形成所述第一像素界定層和所述第二像素界定層;
或者,
在所述平坦層上涂覆所述第一負性光阻以形成所述第一薄膜,對所述第一薄膜進行曝光、顯影,以形成所述第一像素界定層;
在所述第一像素界定層上涂覆第二正性光阻以形成所述第二薄膜;
對所述第二薄膜進行曝光、顯影,以形成所述第二像素界定層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





