[發(fā)明專(zhuān)利]調(diào)節(jié)遠(yuǎn)程等離子源以獲得具有可重復(fù)蝕刻與沉積率的增進(jìn)性能有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010101748.6 | 申請(qǐng)日: | 2015-04-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111286719B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-02-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | A·A·哈賈;M·阿尤伯;J·D·平森二世;J·C·羅查-阿爾瓦雷斯 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 應(yīng)用材料公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C23C16/44 | 分類(lèi)號(hào): | C23C16/44;C23C16/02;C23C16/505;H01L21/205 |
| 代理公司: | 上海專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 汪駿飛;侯穎媖 |
| 地址: | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 調(diào)節(jié) 遠(yuǎn)程 離子源 獲得 具有 重復(fù) 蝕刻 沉積 增進(jìn) 性能 | ||
1.一種用于處理基板的方法,包含下列步驟:
將包含氧化鋁或氮化鋁的遠(yuǎn)程等離子體源的內(nèi)壁表面暴露于處于激發(fā)態(tài)的調(diào)節(jié)氣體,以鈍化所述遠(yuǎn)程等離子體源的所述內(nèi)壁表面,鈍化所述內(nèi)壁表面包含恢復(fù)所述內(nèi)壁表面的所述氧化鋁或所述氮化鋁,當(dāng)所述內(nèi)壁表面包含氧化鋁時(shí)所述調(diào)節(jié)氣體包含含氧氣體,當(dāng)所述內(nèi)壁表面包含氮化鋁時(shí)所述調(diào)節(jié)氣體包含含氮?dú)怏w,其中所述含氧氣體包含氧(O2)氣體、臭氧(O3)氣體、氧化亞氮(N2O)、一氧化氮(NO)、一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO2)、水蒸氣(H2O)、或前述氣體的任何組合,并且所述含氮?dú)怏w包含氨(NH3)、氮(N2)、聯(lián)氨(N2H4)、一氧化氮(NO)、氧化亞氮(N2O)、或二氧化氮(NO2)、或前述氣體的任何組合,并且所述遠(yuǎn)程等離子體源耦接至處理腔室并且暴露于所述調(diào)節(jié)氣體長(zhǎng)達(dá)鈍化處理時(shí)間;
在利用所述調(diào)節(jié)氣體鈍化所述遠(yuǎn)程等離子體源的所述內(nèi)壁表面之后,使用所述遠(yuǎn)程等離子體源中產(chǎn)生的處理自由基在所述處理腔室中對(duì)N個(gè)數(shù)量的基板進(jìn)行一系列的沉積工藝或蝕刻工藝,對(duì)所述N個(gè)數(shù)量的基板進(jìn)行的一系列的沉積工藝或蝕刻工藝長(zhǎng)達(dá)基板處理時(shí)間,使得所述鈍化處理時(shí)間與所述基板處理時(shí)間的比率為1:5至1:30;以及
重復(fù)將所述遠(yuǎn)程等離子體源的所述內(nèi)壁表面暴露于所述調(diào)節(jié)氣體的步驟、從所述調(diào)節(jié)氣體產(chǎn)生所述等離子體的步驟、以及在隨后批次的N個(gè)數(shù)量的基板上進(jìn)行所述系列的沉積工藝或蝕刻工藝。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述調(diào)節(jié)氣體實(shí)質(zhì)上由所述含氧氣體或所述含氮?dú)怏w以及化學(xué)惰性氣體組成,其中所述化學(xué)惰性氣體處于1:6至1:15的惰性氣體對(duì)調(diào)節(jié)氣體比例。
3.如權(quán)利要求1所述的方法,其中N是在1與20之間的基板的整數(shù)數(shù)量。
4.如權(quán)利要求1所述的方法,進(jìn)一步包含下列步驟:
在將遠(yuǎn)程等離子體源的內(nèi)壁表面暴露于調(diào)節(jié)氣體之前,將所述處理腔室的內(nèi)壁表面暴露于清潔氣體,其中所述清潔氣體包含NF3、NH3、F2、CF4、C2F6、C4F8、SF6、CHF3、CF6、H2、CCl4、C2Cl6、或前述氣體的任何組合。
5.如權(quán)利要求4所述的方法,進(jìn)一步包含下列步驟:
在所述處理腔室的清潔期間將所述遠(yuǎn)程等離子體源的所述內(nèi)壁表面暴露于含氧氣體。
6.如權(quán)利要求1所述的方法,進(jìn)一步包含:
在不存在基板的情況下將調(diào)適層形成于所述處理腔室的腔室表面上。
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C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的
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