[發(fā)明專(zhuān)利]調(diào)節(jié)遠(yuǎn)程等離子源以獲得具有可重復(fù)蝕刻與沉積率的增進(jìn)性能

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010101748.6
• 申請(qǐng)日: 2015-04-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111286719B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-02-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: A·A·哈賈;M·阿尤伯;J·D·平森二世;J·C·羅查-阿爾瓦雷斯
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23C16/44
• 分類(lèi)號(hào): C23C16/44;C23C16/02;C23C16/505;H01L21/205
• 代理公司: 上海專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 汪駿飛;侯穎媖

1.一種用于處理基板的方法，包含下列步驟：

將包含氧化鋁或氮化鋁的遠(yuǎn)程等離子體源的內(nèi)壁表面暴露于處于激發(fā)態(tài)的調(diào)節(jié)氣體，以鈍化所述遠(yuǎn)程等離子體源的所述內(nèi)壁表面，鈍化所述內(nèi)壁表面包含恢復(fù)所述內(nèi)壁表面的所述氧化鋁或所述氮化鋁，當(dāng)所述內(nèi)壁表面包含氧化鋁時(shí)所述調(diào)節(jié)氣體包含含氧氣體，當(dāng)所述內(nèi)壁表面包含氮化鋁時(shí)所述調(diào)節(jié)氣體包含含氮?dú)怏w，其中所述含氧氣體包含氧(O₂)氣體、臭氧(O₃)氣體、氧化亞氮(N₂O)、一氧化氮(NO)、一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO₂)、水蒸氣(H₂O)、或前述氣體的任何組合，并且所述含氮?dú)怏w包含氨(NH₃)、氮(N₂)、聯(lián)氨(N₂H₄)、一氧化氮(NO)、氧化亞氮(N₂O)、或二氧化氮(NO₂)、或前述氣體的任何組合，并且所述遠(yuǎn)程等離子體源耦接至處理腔室并且暴露于所述調(diào)節(jié)氣體長(zhǎng)達(dá)鈍化處理時(shí)間；

在利用所述調(diào)節(jié)氣體鈍化所述遠(yuǎn)程等離子體源的所述內(nèi)壁表面之后，使用所述遠(yuǎn)程等離子體源中產(chǎn)生的處理自由基在所述處理腔室中對(duì)N個(gè)數(shù)量的基板進(jìn)行一系列的沉積工藝或蝕刻工藝，對(duì)所述N個(gè)數(shù)量的基板進(jìn)行的一系列的沉積工藝或蝕刻工藝長(zhǎng)達(dá)基板處理時(shí)間，使得所述鈍化處理時(shí)間與所述基板處理時(shí)間的比率為1:5至1:30；以及

重復(fù)將所述遠(yuǎn)程等離子體源的所述內(nèi)壁表面暴露于所述調(diào)節(jié)氣體的步驟、從所述調(diào)節(jié)氣體產(chǎn)生所述等離子體的步驟、以及在隨后批次的N個(gè)數(shù)量的基板上進(jìn)行所述系列的沉積工藝或蝕刻工藝。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述調(diào)節(jié)氣體實(shí)質(zhì)上由所述含氧氣體或所述含氮?dú)怏w以及化學(xué)惰性氣體組成，其中所述化學(xué)惰性氣體處于1:6至1:15的惰性氣體對(duì)調(diào)節(jié)氣體比例。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中N是在1與20之間的基板的整數(shù)數(shù)量。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包含下列步驟：

在將遠(yuǎn)程等離子體源的內(nèi)壁表面暴露于調(diào)節(jié)氣體之前，將所述處理腔室的內(nèi)壁表面暴露于清潔氣體，其中所述清潔氣體包含NF₃、NH₃、F₂、CF₄、C₂F₆、C₄F₈、SF₆、CHF₃、CF₆、H₂、CCl₄、C₂Cl₆、或前述氣體的任何組合。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，進(jìn)一步包含下列步驟：

在所述處理腔室的清潔期間將所述遠(yuǎn)程等離子體源的所述內(nèi)壁表面暴露于含氧氣體。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包含：

在不存在基板的情況下將調(diào)適層形成于所述處理腔室的腔室表面上。