[發明專利]調節遠程等離子源以獲得具有可重復蝕刻與沉積率的增進性能

有效

• 申請號: 202010101748.6
• 申請日: 2015-04-29
• 公開（公告）號: CN111286719B
• 公開（公告）日: 2022-02-08
• 發明（設計）人: A·A·哈賈;M·阿尤伯;J·D·平森二世;J·C·羅查-阿爾瓦雷斯
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/02;C23C16/505;H01L21/205
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 汪駿飛;侯穎媖

1.一種用于處理基板的方法，包含下列步驟：

將包含氧化鋁或氮化鋁的遠程等離子體源的內壁表面暴露于處于激發態的調節氣體，以鈍化所述遠程等離子體源的所述內壁表面，鈍化所述內壁表面包含恢復所述內壁表面的所述氧化鋁或所述氮化鋁，當所述內壁表面包含氧化鋁時所述調節氣體包含含氧氣體，當所述內壁表面包含氮化鋁時所述調節氣體包含含氮氣體，其中所述含氧氣體包含氧(O₂)氣體、臭氧(O₃)氣體、氧化亞氮(N₂O)、一氧化氮(NO)、一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO₂)、水蒸氣(H₂O)、或前述氣體的任何組合，并且所述含氮氣體包含氨(NH₃)、氮(N₂)、聯氨(N₂H₄)、一氧化氮(NO)、氧化亞氮(N₂O)、或二氧化氮(NO₂)、或前述氣體的任何組合，并且所述遠程等離子體源耦接至處理腔室并且暴露于所述調節氣體長達鈍化處理時間；

在利用所述調節氣體鈍化所述遠程等離子體源的所述內壁表面之后，使用所述遠程等離子體源中產生的處理自由基在所述處理腔室中對N個數量的基板進行一系列的沉積工藝或蝕刻工藝，對所述N個數量的基板進行的一系列的沉積工藝或蝕刻工藝長達基板處理時間，使得所述鈍化處理時間與所述基板處理時間的比率為1:5至1:30；以及

重復將所述遠程等離子體源的所述內壁表面暴露于所述調節氣體的步驟、從所述調節氣體產生所述等離子體的步驟、以及在隨后批次的N個數量的基板上進行所述系列的沉積工藝或蝕刻工藝。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述調節氣體實質上由所述含氧氣體或所述含氮氣體以及化學惰性氣體組成，其中所述化學惰性氣體處于1:6至1:15的惰性氣體對調節氣體比例。

3.如權利要求1所述的方法，其中N是在1與20之間的基板的整數數量。

4.如權利要求1所述的方法，進一步包含下列步驟：

在將遠程等離子體源的內壁表面暴露于調節氣體之前，將所述處理腔室的內壁表面暴露于清潔氣體，其中所述清潔氣體包含NF₃、NH₃、F₂、CF₄、C₂F₆、C₄F₈、SF₆、CHF₃、CF₆、H₂、CCl₄、C₂Cl₆、或前述氣體的任何組合。

5.如權利要求4所述的方法，進一步包含下列步驟：

在所述處理腔室的清潔期間將所述遠程等離子體源的所述內壁表面暴露于含氧氣體。

6.如權利要求1所述的方法，進一步包含：

在不存在基板的情況下將調適層形成于所述處理腔室的腔室表面上。