[發(fā)明專利]一種電壓電平轉(zhuǎn)換電路

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010101636.0
• 申請日: 2020-02-19
• 公開（公告）號: CN113285707A
• 公開（公告）日: 2021-08-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張利地
• 申請（專利權(quán)）人: 圣邦微電子（北京）股份有限公司
• 主分類號: H03K19/0175
• 分類號: H03K19/0175;H03K19/0185
• 代理公司: 北京成創(chuàng)同維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449
• 代理人: 楊思雨;馬陸娟

1.一種電壓電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，包括：

連接在第一高電源電壓和地之間的上拉電路和下拉電路，所述下拉電路的低壓輸入端連接低壓輸入信號，所述上拉電路和所述下拉電路的連接位置輸出高壓輸出信號；以及

連接在所述第一高電源電壓和地之間的偏置電路，所述偏置電路的控制端接收第二高電源電壓，并根據(jù)第二高電源電壓向所述下拉電路提供偏置電壓，

其中，所述高壓輸出信號的大小位于所述第一高電源電壓和所述第二高電源電壓之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述第一高電源電壓和所述第二高電源電壓的電勢差小于所述上拉電路中晶體管的耐受電壓。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述上拉電路和所述下拉電路為差分結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電壓電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述上拉電路包括：

第一PMOS晶體管，其具有與所述第一高電源電壓連接的第一端、與所述下拉電路連接的第二端、以及與第二高壓輸出信號連接的控制端；以及

第二PMOS晶體管，其具有與所述第一高電源電壓連接的第一端、與所述下拉電路連接的第二端、以及與第一高壓輸出信號連接的控制端，

其中，所述第一高壓輸出信號和所述第二高壓輸出信號互為反相信號。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電壓電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述下拉電路包括：

第三PMOS晶體管，其具有與所述第一PMOS晶體管的第二端連接的第一端、接收所述偏置電壓的控制端以及第二端；

第四PMOS晶體管，其具有與所述第二PMOS晶體管的第二端連接的第一端、接收所述偏置電壓的控制端以及第二端；

第一NMOS晶體管，其具有與所述第三PMOS晶體管的第二端連接的第一端、接收所述低壓輸入信號的控制端、以及與地連接的第二端；

第二NMOS晶體管，其具有與所述第四PMOS晶體管的第二端連接的第一端、接收所述低壓輸入信號的反相信號的控制端，以及與地連接的第二端。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電壓電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，還包括反相器，所述反相器的輸入端接收所述低壓輸入信號，輸出端提供所述低壓輸入信號的反相信號。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電壓電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述反相器包括串聯(lián)連接于低電源電壓和地之間的第五PMOS晶體管和第三NMOS晶體管，

所述第五PMOS晶體管和所述第三NMOS晶體管的控制端彼此連接，且接收所述低壓輸入信號，

所述第五PMOS晶體管和所述第三NMOS晶體管的中間節(jié)點提供所述低壓輸入信號的反相信號。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述偏置電路包括串聯(lián)連接于所述第一高電源電壓和地之間的第四NMOS晶體管和電流源，

所述第四NMOS晶體管的控制端接收所述第二高電源電壓，

所述第四NMOS晶體管和所述電流源的中間節(jié)點提供所述偏置電壓。

9.一種電壓電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，包括：

連接在第一高電源電壓和地之間的上拉電路和下拉電路，所述上拉電路的高壓輸入端連接高壓輸入信號，所述上拉電路和所述下拉電路的連接位置輸出低壓輸出信號；以及

連接在所述第一高電源電壓和地之間的偏置電路，所述偏置電路的控制端接收低電源電壓，并根據(jù)所述低電源電壓向所述上拉電路提供偏置電壓，

其中，所述高壓輸入信號的大小位于所述第一高電源電壓和第二高電源電壓之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電壓電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述第一高電源電壓和所述第二高電源電壓的電勢差小于所述上拉電路中晶體管的耐受電壓。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電壓電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述上拉電路和所述下拉電路為差分結(jié)構(gòu)。