[發(fā)明專利]一種電壓電平轉(zhuǎn)換電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010101626.7
• 申請(qǐng)日: 2020-02-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113285706B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張利地
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 圣邦微電子（北京）股份有限公司
• 主分類號(hào): H03K19/0175
• 分類號(hào): H03K19/0175;H03K19/0185
• 代理公司: 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449
• 代理人: 楊思雨;馬陸娟

1.一種電壓電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，包括：

依次連接在第一高電源電壓和地之間的電流源、上拉電路和下拉電路，

其中，所述上拉電路的高壓輸入端連接高壓輸入信號(hào)，所述上拉電路和所述下拉電路的連接位置輸出低壓輸出信號(hào)，

所述下拉電路包括第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管，所述第一NMOS晶體管和所述第二NMOS晶體管構(gòu)成差分結(jié)構(gòu)，

其中，所述下拉電路還包括第一箝位模塊和第二箝位模塊，所述第一箝位模塊和所述第二箝位模塊分別連接于所述第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管兩端，

所述第一箝位模塊和所述第二箝位模塊都包括串聯(lián)連接的第三NMOS晶體管和電阻，所述第三NMOS晶體管連接成二極管結(jié)構(gòu)，所述電流源提供的電流在電阻上產(chǎn)生電壓，將所述第一NMOS晶體管和所述第二NMOS晶體管的源漏電壓擺幅箝位于如下式所示的低電源電壓VCCL，

VCCL＝Vgs_Mn+I1×R

其中，I1表示所述電流源的電流值，Vgs_Mn表示將所述第三NMOS晶體管的柵源電壓，R表示所述電阻的阻值，所述低電源電壓VCCL不超過(guò)所述第一NMOS晶體管和所述第二NMOS晶體管的耐受電壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述第一NMOS晶體管具有與所述上拉電路連接的第一端、與地連接的第二端、以及與第二低壓輸出信號(hào)連接的控制端，

所述第二NMOS晶體管具有與所述上拉電路連接的第一端、與地連接的第二端、以及與第一低壓輸出信號(hào)連接的控制端，

其中，所述第一低壓輸出信號(hào)和所述第二低壓輸出信號(hào)互為反相信號(hào)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電壓電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述上拉電路包括：第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管；

其中，所述電流源具有與所述第一高電源電壓連接的第一端以及第二端；

所述第一PMOS晶體管具有與所述電流源的第二端連接的第一端、接收所述高壓輸入信號(hào)的控制端、以及與所述第一NMOS晶體管的第一端連接的第二端；以及

所述第二PMOS晶體管具有與所述電流源的第二端連接的第一端、接收所述高壓輸入信號(hào)的反相信號(hào)的控制端、以及與所述第二NMOS晶體管的第一端連接的第二端。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電壓電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，還包括反相器，所述反相器的輸入端接收所述高壓輸入信號(hào)，輸出端提供所述高壓輸入信號(hào)的反相信號(hào)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電壓電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述反相器包括串聯(lián)連接于所述第一高電源電壓和第二高電源電壓之間的第三PMOS晶體管和第五NMOS晶體管，

所述第三PMOS晶體管和所述第五NMOS晶體管的控制端彼此連接，且接收所述高壓輸入信號(hào)，

所述第三PMOS晶體管和所述第五NMOS晶體管的中間節(jié)點(diǎn)提供所述高壓輸入信號(hào)的反相信號(hào)。