[發明專利]三維閃爍體光纖陣列X射線探測器及其制備方法

有效

• 申請號: 202010101606.X
• 申請日: 2020-02-19
• 公開（公告）號: CN111338178B
• 公開（公告）日: 2022-03-15
• 發明（設計）人: 王宗朋;杜碧;何可;陳明;楊春雷
• 申請（專利權）人: 深圳市安健科技股份有限公司
• 主分類號: G03B42/02
• 分類號: G03B42/02;B29D11/00
• 代理公司: 深圳市博銳專利事務所 44275
• 代理人: 歐陽燕明

1.一種三維閃爍體光纖陣列X射線探測器的制備方法，其特征在于，將甲基丙烯酸甲酯、引發劑和鏈轉移劑混合后進行預聚反應，得到預聚物；向所述預聚物中加入脫模粉和閃爍體，得到閃爍體預聚物；對所述閃爍體預聚物依次進行真空處理和控溫處理，得到PMMA預制棒；將所述PMMA預制棒與光固化膠一起進行拉絲處理，得到摻閃爍體塑料纖芯和內包層，所述內包層設置于所述摻閃爍體塑料纖芯外；于所述內包層外形成外包層，得到塑料光纖；將所述塑料光纖呈陣列設置，得到光纖層，所述光纖層的數目為至少兩層，且至少兩層的所述光纖層中的閃爍體的濃度從光線入射側向光線出射側依次增大；于所述光纖層的兩側分別設置圖像傳感器和反射熒光層，得到三維閃爍體光纖陣列X射線探測器。

2.根據權利要求1所述的三維閃爍體光纖陣列X射線探測器的制備方法，其特征在于，所述甲基丙烯酸甲酯、引發劑和鏈轉移劑的質量比為100:(0.05~0.2):(0.05~0.1)。

3.根據權利要求1所述的三維閃爍體光纖陣列X射線探測器的制備方法，其特征在于，所述閃爍體為銪硫氧化釓、鉈碘化銫和全無機鈣鈦礦納米晶中的至少一種。

4.根據權利要求1所述的三維閃爍體光纖陣列X射線探測器的制備方法，其特征在于，所述反射熒光層的材質為鋁、銀和金中的至少一種。

5.根據權利要求1所述的三維閃爍體光纖陣列X射線探測器的制備方法，其特征在于，于所述光纖層的兩側分別設置圖像傳感器和反射熒光層之前還包括：對所述光纖層進行拋光處理，然后對拋光處理后的光纖層的出光面進行粗化處理。

6.根據權利要求1所述的三維閃爍體光纖陣列X射線探測器的制備方法，其特征在于，所述脫模粉與甲基丙烯酸甲酯的質量比為(0.15~0.2):100，所述閃爍體與甲基丙烯酸甲酯的質量比為(0.2~10):100。

7.根據權利要求1所述的三維閃爍體光纖陣列X射線探測器的制備方法，其特征在于，所述控溫處理具體為：將真空處理后的閃爍體預聚物依次在68~72℃條件下保溫10~14h，58~62℃條件下保溫10~14h，83~87℃條件下保溫22~26h，98~102℃條件下保溫22~26h，113~117℃條件下保溫22~26h。

8.一種三維閃爍體光纖陣列X射線探測器，其特征在于，根據權利要求1-7任意一項所述的三維閃爍體光纖陣列X射線探測器的制備方法制備得到，包括依次層疊設置的反射熒光層、光纖層和圖像傳感器層，所述光纖層包括呈陣列設置的塑料光纖，所述塑料光纖包括由內而外依次設置的摻閃爍體塑料纖芯、內包層和外包層。

9.根據權利要求8所述的三維閃爍體光纖陣列X射線探測器，其特征在于，所述摻閃爍體塑料纖芯的直徑為10~120μm，長度為300μm~3mm。