[發(fā)明專(zhuān)利]一種磁控濺射設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010101325.4
• 申請(qǐng)日: 2020-02-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111155067A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張誠(chéng)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三河市衡岳真空設(shè)備有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23C14/35
• 分類(lèi)號(hào): C23C14/35;C23C14/50
• 代理公司: 北京元合聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11653
• 代理人: 李非非

1.一種磁控濺射設(shè)備，該磁控濺射設(shè)備包括濺射室、位于該濺射室內(nèi)相對(duì)設(shè)置的用于承載基片的基片臺(tái)和濺射陰極、以及濺射電源，其特征在于，該磁控濺射設(shè)備還包括：

設(shè)置在所述濺射室內(nèi)的電子偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)生成裝置，該電子偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)生成裝置包括極性相反的第一磁極和第二磁極，該第一磁極和第二磁極在所述基片和所述濺射陰極之間形成水平方向的電子偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)，該電子偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)用于使濺射過(guò)程中朝向基片運(yùn)動(dòng)的電子發(fā)生偏轉(zhuǎn)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，所述基片和所述濺射陰極之間的距離大于等于200mm。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，所述基片和所述濺射陰極之間距離的范圍是200mm至300mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于：

所述第一磁極和所述第二磁極均為長(zhǎng)條狀，其二者沿水平方向平行設(shè)置，其中，所述第一磁極和所述第二磁極的設(shè)置高度介于所述基片的設(shè)置高度和所述濺射陰極的設(shè)置高度之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于：

從所述基片臺(tái)所在位置朝所述濺射陰極看過(guò)去所述第一磁極和所述第二磁極位于所述濺射陰極中靶材的兩側(cè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于：

所述第一磁極和所述第二磁極的長(zhǎng)度大于所述靶材在所述第一磁極和所述第二磁極長(zhǎng)度方向上的尺寸。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于：

所述電子偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)生成裝置包括磁鐵、以及呈長(zhǎng)條狀的第一導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)和第二導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)，所述第一導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)和所述第二導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)與所述磁鐵的兩個(gè)磁極分別形成接觸、并在所述磁鐵的磁化作用下形成所述第一磁極和所述第二磁極。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，所述磁鐵是永磁鐵或電磁鐵。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，所述第一導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)和所述第二導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)的材料均為導(dǎo)磁金屬。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，所述導(dǎo)磁金屬是導(dǎo)磁不銹鋼。

11.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，所述電子偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)生成裝置是U型永磁鐵或鐵芯為U型的電磁鐵。

12.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于：

所述電子偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)在所述濺射陰極中靶材表面的磁場(chǎng)強(qiáng)度為第一磁場(chǎng)強(qiáng)度，所述濺射陰極在所述靶材表面所形成的磁場(chǎng)其磁場(chǎng)強(qiáng)度為第二磁場(chǎng)強(qiáng)度，其中，所述第一磁場(chǎng)強(qiáng)度小于所述第二磁場(chǎng)強(qiáng)度。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，所述第一磁場(chǎng)強(qiáng)度與所述第二磁場(chǎng)強(qiáng)度之比小于1/10。