[發(fā)明專利]支持非連續(xù)帶內(nèi)載波聚合和帶間載波聚合兩者的RFFE LNA拓?fù)?/span>有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010100721.5 | 申請日: | 2020-02-18 |
| 公開(公告)號: | CN111585592B | 公開(公告)日: | 2022-07-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 埃姆雷·艾蘭哲;邁爾斯·薩內(nèi);帕寧德拉·耶拉米利 | 申請(專利權(quán))人: | 派賽公司 |
| 主分類號: | H04B1/10 | 分類號: | H04B1/10;H04B1/16;H04L5/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 劉雯鑫;楊林森 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 支持 連續(xù) 載波 聚合 兩者 rffe lna 拓?fù)?/a> | ||
1.一種低噪聲放大器(LNA)電路,包括:
(a)第一低噪聲放大器,所述第一低噪聲放大器具有被配置成接收第一輸入信號并且被配置成將經(jīng)放大的第一輸出信號選擇性地提供至第一電路輸出的輸入;
(b)第二低噪聲放大器,所述第二低噪聲放大器具有被配置成接收第二輸入信號并且被配置成將經(jīng)放大的第二輸出信號選擇性地提供至第二電路輸出的輸入;以及
(c)分離的低噪聲放大器,所述分離的低噪聲放大器具有被配置成接收第三輸入信號的輸入、第一信號輸出和第二信號輸出,所述第一信號輸出被配置成將所述第三輸入信號的第一放大版本選擇性地提供至所述第一電路輸出,所述第二信號輸出被配置成將所述第三輸入信號的第二放大版本選擇性地提供至所述第二電路輸出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低噪聲放大器電路,其中,
(a)在第一模式下,將所述第一低噪聲放大器設(shè)置為接通狀態(tài),并且將所述第二低噪聲放大器和所述分離的低噪聲放大器設(shè)置為關(guān)斷狀態(tài);
(b)在第二模式下,將所述第二低噪聲放大器設(shè)置為接通狀態(tài),并且將所述第一低噪聲放大器和所述分離的低噪聲放大器設(shè)置為關(guān)斷狀態(tài);
(c)在第三模式下,將所述第一低噪聲放大器設(shè)置為接通狀態(tài),將所述第二低噪聲放大器設(shè)置為接通狀態(tài),并且將所述分離的低噪聲放大器設(shè)置為關(guān)斷狀態(tài);以及
(d)在第四模式下,將所述分離的低噪聲放大器設(shè)置為接通狀態(tài),并且將所述第一低噪聲放大器和所述第二低噪聲放大器設(shè)置為關(guān)斷狀態(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低噪聲放大器電路,其中,所述第三輸入信號為帶內(nèi)非連續(xù)載波聚合射頻信號。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低噪聲放大器電路,其中,在所述第三模式下,所述第一輸入信號和所述第二輸入信號各自為帶間載波聚合射頻信號。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低噪聲放大器電路,還包括至少一個(gè)輸入匹配元件,每個(gè)輸入匹配元件耦接至相應(yīng)低噪聲放大器的輸入。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低噪聲放大器電路,還包括至少一個(gè)輸出負(fù)載匹配元件,每個(gè)輸出負(fù)載匹配元件耦接至所述第一電路輸出或所述第二電路輸出中的相應(yīng)之一。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低噪聲放大器電路,還包括至少一個(gè)分流開關(guān),每個(gè)分流開關(guān)耦接在接地與相應(yīng)低噪聲放大器的輸入之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低噪聲放大器電路,其中,所述第一輸入信號、所述第二輸入信號和/或所述第三輸入信號中的至少之一被濾波以匹配相應(yīng)的第一低噪聲放大器、第二低噪聲放大器或分離的低噪聲放大器的放大器特性。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低噪聲放大器電路,其中,所述第一低噪聲放大器和所述第二低噪聲放大器中的至少之一包括共源共柵放大器級。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低噪聲放大器電路,其中,所述分離的低噪聲放大器包括第一共源共柵放大器級和第二共源共柵放大器級,每個(gè)共源共柵放大器級具有被配置成接收所述第三輸入信號的輸入,所述第一共源共柵放大器級被配置成將所述第三輸入信號的第一放大版本選擇性地提供至所述第一電路輸出,并且所述第二共源共柵放大器級被配置成將所述第三輸入信號的第二放大版本選擇性地提供至所述第二電路輸出。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的低噪聲放大器電路,還包括:第一退化元件,所述第一退化元件耦接至所述第一低噪聲放大器的相應(yīng)退化輸出和所述分離的低噪聲放大器的所述第一共源共柵放大器級;以及第二退化元件,所述第二退化元件耦接至所述第二低噪聲放大器的相應(yīng)退化輸出和所述分離的低噪聲放大器的所述第二共源共柵放大器級。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的低噪聲放大器電路,其中,所述第一共源共柵放大器級和所述第二共源共柵放大器級各自包括在節(jié)點(diǎn)處串聯(lián)耦接至至少一個(gè)輸出晶體管的至少一個(gè)輸入晶體管。
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