[發明專利]一種Micro-LED陣列基板的制備方法及制備系統

有效

• 申請號: 202010100091.1
• 申請日: 2020-02-18
• 公開（公告）號: CN111276592B
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 柯毅東;艾國齊;段方方;曲曉東
• 申請（專利權）人: 廈門乾照半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/00;H01L33/36
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張雪嬌

1.一種Micro-LED陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

獲取Micro-LED芯粒；所述Micro-LED芯粒包括外延結構，所述外延結構包括相對設置的第一表面和第二表面，所述第一表面上設置有第一電極，所述第二表面上設置有第二電極，所述第一電極的厚度大于或等于預設厚度，所述預設厚度為所述Mic ro-LED芯粒的寬度與厚度的差值，所述Mic ro-LED芯粒的寬高比的取值范圍為0.5至2，所述Mic ro-LED芯粒的高度為外延結構與第二電極的厚度之和；

獲取固定基板，所述固定基板包括多個限位井，所述限位井包括第一容納區和至少一個第二容納區，所述第一容納區中設置有第一連接層，所述第二容納區中設置有第二連接層，所述第二容納區的寬度小于所述第一容納區的寬度，所述第二容納區用于容納所述第一電極；

利用對流體組裝法，將所述Micro-LED芯粒與所述固定基板上的限位井固定，當所述Micro-LED芯粒與所述固定基板固定時，所述第一電極位于所述第二容納區中。

2.根據權利要求1所述的Micro-LED陣列基板的制備方法，其特征在于，所述獲取Micro-LED芯粒包括：

提供外延襯底；

在所述外延襯底上形成外延層；

對所述外延層的發光區以及隔離槽進行刻蝕，以形成多個外延結構，所述外延結構的第一表面為發光區；

在所述外延結構的發光區兩側形成鈍化層；

在所述外延結構的發光區表面形成第一金屬，所述第一金屬在所述外延襯底上的正投影位于所述外延結構在所述外延襯底上的正投影中，且所述第一金屬的厚度大于預設厚度；

利用鍵合工藝將所述外延結構的第一表面與臨時襯底鍵合，并在鍵合后去除所述外延襯底，以暴露出所述外延結構的第二表面；

在所述外延結構的第二表面形成第二金屬；

去除所述臨時襯底，以獲得多個所述Micro-LED芯粒。

3.根據權利要求1所述的Micro-LED陣列基板的制備方法，其特征在于，所述獲取固定基板包括：

提供待處理基板；

在所述待處理基板上形成掩膜層；

以所述掩膜層為掩膜，在所述待處理基板上形成多個所述限位井，所述限位井包括第一容納區和至少一個第二容納區，所述第一容納區中設置有第一連接層，所述第二容納區中設置有第二連接層，所述第二容納區的寬度小于所述第一容納區的寬度，所述第二容納區用于容納所述第一電極；

在所述第一容納區中形成第一連接層；

在所述第二容納區中形成第二連接層。

4.根據權利要求1所述的Micro-LED陣列基板的制備方法，其特征在于，所述利用對流體組裝法，將所述Micro-LED芯粒與所述固定基板上的限位井固定包括：

在所述固定基板包括所述限位井的一側表面，使流體沿預設方向流動，所述流體中包括所述Micro-LED芯粒，以使所述Micro-LED芯粒的第一電極嵌于所述第二容納區中。

5.根據權利要求1所述的Micro-LED陣列基板的制備方法，其特征在于，所述利用對流體組裝法，將所述Micro-LED芯粒與所述固定基板上的限位井固定之后還包括：

將所述第一電極與所述第二連接層固定連接；

將所述第二電極與所述第一連接層固定連接。