[發明專利]用等離子體輔助分子束外延以準范德華外延生長高質量ZnO單晶薄膜的方法有效
| 申請號： | 202010099954.8 | 申請日： | 2020-02-18 |
| 公開（公告）號： | CN111334856B | 公開（公告）日： | 2021-08-06 |
| 發明（設計）人： | 葉志鎮;王寧;潘新花;何海平;黃靖云 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | C30B25/18 | 分類號： | C30B25/18;C30B29/16;C30B29/64 |
| 代理公司： | 杭州求是專利事務所有限公司 33200 | 代理人： | 萬尾甜;韓介梅 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 等離子體 輔助 分子 外延 準范德華 生長 質量 zno 薄膜 方法 | ||
【權利要求書】：
1.用等離子體輔助分子束外延以準范德華外延生長高質量ZnO單晶薄膜的方法，其特征在于，步驟如下：
將經清洗后氮氣吹干的氟晶云母襯底放入分子束外延設備的進樣室中，待在預處理室除氣數小時后，轉移到生長室中，向生長室通入O2，調節生長室真空度為1×10-7～1×10-6Torr，將襯底升溫至800 ℃退火30 min,以修復襯底表面晶格獲得高度平整的氟晶云母表面，以純O2經過射頻活化形成的氧等離子體作為O源，調節生長室真空度為1×10-6～1×10-5Torr，以純金屬Zn源為金屬源，調節Zn源溫度為245～260 ℃，在襯底上首先以較低溫度300～600 ℃生長一定厚度ZnO薄膜，使得ZnO在氟晶云母襯底上形核外延，隨后提高襯底溫度至700～750 ℃生長所需厚度的ZnO薄膜，生長結束后將薄膜在O2氣氛下，以10 ℃/min的速率降溫冷卻至室溫；所述除氣后預處理室真空度要求達到5×10-9Torr以下。
2.根據權利要求1所述的用等離子體輔助分子束外延以準范德華外延生長高質量ZnO薄膜的方法，其特征是，所述的O2的純度為99.9999 %以上，金屬Zn的純度為99.9998 %以上。
3. 根據權利要求1所述的用等離子體輔助分子束外延以準范德華外延生長高質量ZnO薄膜的方法，其特征是，所述的較低溫度生長ZnO薄膜，厚度為10 nm。
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