[發明專利]尖晶石相p型鐵酸鎳半導體氧化物薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 202010099720.3
• 申請日: 2020-02-18
• 公開（公告）號: CN111270205B
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 王先杰;宋炳乾;隋郁;宋波;張伶莉
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: C23C14/28
• 分類號: C23C14/28;C23C14/08;C04B35/28
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109
• 代理人: 岳泉清

1.尖晶石相p型鐵酸鎳半導體氧化物薄膜的制備方法，其特征在于該方法按以下步驟進行：

一、清洗襯底，得到清洗處理后的襯底；

二、將清洗處理后的襯底放在托盤上，利用機械泵和分子泵將生長室抽至本底真空，襯底加熱到530～580℃，以NiFe₂O₄陶瓷材料為靶材，調整高能脈沖激光器，控制脈沖激光輸出為能量100～250mJ，重復頻率為1～10Hz進行脈沖激光沉積薄膜，薄膜沉積過程中生長氧分壓為0.1～5mTorr，得到尖晶石相p型半導體性氧化物薄膜。

2.根據權利要求1所述的尖晶石相p型鐵酸鎳半導體氧化物薄膜的制備方法，其特征在于步驟一通過超聲清洗襯底。

3.根據權利要求2所述的尖晶石相p型鐵酸鎳半導體氧化物薄膜的制備方法，其特征在于步驟一中依次使用去離子水、無水乙醇、丙酮、無水乙醇超聲清洗襯底。

4.根據權利要求1所述的尖晶石相p型鐵酸鎳半導體氧化物薄膜的制備方法，其特征在于步驟一中所述的襯底為半導體SiC襯底、半導體Si襯底、絕緣MgO襯底或者絕緣SrTiO₃襯底。

5.根據權利要求4所述的尖晶石相p型鐵酸鎳半導體氧化物薄膜的制備方法，其特征在于步驟一中所述的襯底為(0001)取向的6H-SiC。

6.根據權利要求1所述的尖晶石相p型鐵酸鎳半導體氧化物薄膜的制備方法，其特征在于步驟二中控制襯底的升溫速率為5℃min^-1。

7.根據權利要求1所述的尖晶石相p型鐵酸鎳半導體氧化物薄膜的制備方法，其特征在于步驟二中NiFe₂O₄陶瓷靶材的純度大于99％。

8.根據權利要求1所述的尖晶石相p型鐵酸鎳半導體氧化物薄膜的制備方法，其特征在于步驟二中所述的NiFe₂O₄陶瓷靶材的制備過程如下：

一、按化學計量比將NiO粉末和Fe₂O₃粉末混合均勻，研磨之后得到混合粉末；

二、利用單向軸壓機將混合粉末壓片，以1200℃的溫度高溫煅燒處理，得到NiFe₂O₄陶瓷靶材。