[發(fā)明專利]保護(hù)半導(dǎo)體集成電路以防范逆向工程的方法及半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010099528.4
• 申請(qǐng)日: 2020-02-18
• 公開（公告）號(hào): CN111610425B
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 村上洋樹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/28
• 分類號(hào): G01R31/28;G01R19/00;G11C29/50
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 趙平;周永君

1.一種保護(hù)方法，保護(hù)半導(dǎo)體集成電路以防范逆向工程，其特征在于，具有下列步驟：

監(jiān)視所述半導(dǎo)體集成電路預(yù)定的監(jiān)視地點(diǎn)的電壓波形的步驟；

判定監(jiān)視的電壓波形是否符合正常運(yùn)作時(shí)的期望值的步驟；以及

在判定不符合所述期望值的情況下，控制所述半導(dǎo)體集成電路，以使所述半導(dǎo)體集成電路以異于正常的模式下運(yùn)作的步驟；

其中，所述監(jiān)視所述半導(dǎo)體集成電路預(yù)定的監(jiān)視地點(diǎn)的電壓波形的步驟，從所述監(jiān)視地點(diǎn)的電壓波形生成脈沖信號(hào)；以及所述判定步驟，自基準(zhǔn)時(shí)刻起至脈沖信號(hào)升起的時(shí)間超過容許范圍時(shí)，判定為正在進(jìn)行逆向工程。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)方法，其特征在于，所述判定監(jiān)視的電壓波形是否符合正常運(yùn)作時(shí)的期望值的步驟，當(dāng)所述監(jiān)視地點(diǎn)的電壓充電直到第1數(shù)值的時(shí)間超過容許范圍時(shí)，判定為正在進(jìn)行逆向工程。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)方法，其特征在于，所述控制所述半導(dǎo)體集成電路，以使所述半導(dǎo)體集成電路以異于正常的模式下運(yùn)作的步驟，讓所述半導(dǎo)體集成電路在假定的條件下運(yùn)作。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)方法，其特征在于，所述控制所述半導(dǎo)體集成電路，以使所述半導(dǎo)體集成電路以異于正常的模式下運(yùn)作的步驟，讓所述半導(dǎo)體集成電路停止運(yùn)作。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)方法，其特征在于，還包含：半導(dǎo)體集成電路在正常運(yùn)作時(shí)，從所述監(jiān)視地點(diǎn)得到的電壓波形當(dāng)中生成所述期望值的步驟。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的保護(hù)方法，其特征在于，還包含：檢測(cè)半導(dǎo)體集成電路的運(yùn)作溫度的步驟，其中，所述生成所述期望值的步驟，基于所述檢測(cè)的運(yùn)作溫度而生成所述期望值。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的保護(hù)方法，其特征在于，還包含：檢測(cè)半導(dǎo)體集成電路的電源電壓的步驟，其中，所述生成所述期望值的步驟，基于所述檢測(cè)的電源電壓而生成所述期望值。

8.根據(jù)權(quán)利要求1到7其中任何一項(xiàng)所述的保護(hù)方法，其特征在于，還包含：

設(shè)定是否讓所述半導(dǎo)體集成電路以異于正常的模式下運(yùn)作的步驟，其中，所述控制步驟，基于所述設(shè)定步驟的設(shè)定，讓所述半導(dǎo)體集成電路運(yùn)作。

9.一種半導(dǎo)體裝置，具有保護(hù)半導(dǎo)體集成電路以防范逆向工程的功能，其特征在于，具有：

生成裝置，在半導(dǎo)體集成電路正常運(yùn)作時(shí)，從監(jiān)視地點(diǎn)得到的電壓波形當(dāng)中生成期望值；

監(jiān)視裝置，監(jiān)視所述監(jiān)視地點(diǎn)的電壓波形；

判定裝置，根據(jù)所述監(jiān)視裝置，判定監(jiān)視的電壓波形是否符合正常運(yùn)作時(shí)的所述期望值；以及

控制裝置，在判定不符合所述期望值的情況下，控制所述半導(dǎo)體集成電路，以使所述半導(dǎo)體集成電路以異于正常的模式下運(yùn)作；

其中，所述生成裝置從所述監(jiān)視地點(diǎn)的電壓波形生成脈沖信號(hào)；以及所述判定裝置，自基準(zhǔn)時(shí)刻起至脈沖信號(hào)升起的時(shí)間超過容許范圍時(shí)，判定為正在進(jìn)行逆向工程。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體集成電路，包含半導(dǎo)體存儲(chǔ)電路；以及所述判定裝置，將所述監(jiān)視地點(diǎn)的電壓波形，與讀出動(dòng)作時(shí)的期望值或者寫入動(dòng)作時(shí)的期望值進(jìn)行比較，判定是否有逆向工程。

11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述判定裝置，當(dāng)所述監(jiān)視地點(diǎn)的電壓到達(dá)第1數(shù)值之前的時(shí)間超過預(yù)定的時(shí)脈數(shù)時(shí)，判定為正在進(jìn)行逆向工程。