[發(fā)明專利]負載鎖定模塊、基片處理裝置和基片的輸送方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010098800.7 | 申請日: | 2020-02-18 |
| 公開(公告)號: | CN111613550B | 公開(公告)日: | 2023-09-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 高橋裕之 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳;劉芃茜 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 負載 鎖定 模塊 處理 裝置 輸送 方法 | ||
本發(fā)明提供負載鎖定模塊、基片處理裝置和基片的輸送方法。在大氣壓下輸送基片的大氣輸送模塊與在真空壓下進行基片的輸送的真空輸送模塊之間設(shè)置的負載鎖定模塊中,設(shè)置能夠?qū)?nèi)部在大氣壓與真空壓之間切換的負載鎖定室。該負載鎖定室中設(shè)置有具有對基片進行冷卻的冷卻機構(gòu)的載置臺,并且以從載置臺可伸出、沒入的方式設(shè)置用于使基片升降移動的升降銷。并且,設(shè)置檢測部,該檢測部與基片被從載置臺伸出的升降銷支承的位置對應(yīng)地設(shè)定檢測區(qū)域,在該檢測區(qū)域中檢測基片。本發(fā)明能夠在負載鎖定模塊中檢測基片。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及負載鎖定模塊、基片處理裝置和基片的輸送方法。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體裝置的制造工藝中,對作為基片的半導(dǎo)體晶片(以下,記為晶片)進行蝕刻、成膜等各種各樣的真空處理。作為以高生產(chǎn)率(throughput)進行該真空處理的裝置,已知有在真空輸送室的周圍配置多個真空處理室,將晶片從大氣輸送室經(jīng)負載鎖定室和真空輸送室輸送到真空處理室的構(gòu)成。由真空處理室處理過的晶片被真空輸送室的臂輸送到真空氣氛的負載鎖定室,負載鎖定室內(nèi)被調(diào)節(jié)成大氣氣氛后,從該負載鎖定室被大氣輸送室的臂送出。
專利文獻1記載有如下構(gòu)成,即在用于向具有掃描型電子顯微鏡(SEM)的掃描型電子顯微鏡主體輸送基片的負載鎖定室,設(shè)置具有水平的光軸的晶片有無傳感器和晶片傾斜傳感器。另外,專利文獻2記載有在晶片輸送裝置的臂設(shè)置有用于檢測收納在盒內(nèi)的被處理體的位置的發(fā)光元件和受光元件的構(gòu)成。
現(xiàn)有技術(shù)文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2012-33594號公報
專利文獻2:日本特開平5-243347號公報
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的技術(shù)問題
本發(fā)明提供一種在負載鎖定模塊內(nèi)檢測基片的技術(shù)。
用于解決技術(shù)問題的技術(shù)方案
本發(fā)明的負載鎖定模塊是切換內(nèi)部的壓力進行基片的輸送的負載鎖定模塊,其特征在于,包括:
設(shè)置在大氣輸送模塊與真空輸送模塊之間的負載鎖定室,其能夠?qū)?nèi)部在大氣壓與真空壓之間切換,其中所述大氣輸送模塊用于在大氣壓下輸送基片,所述真空輸送模塊與進行基片的處理的處理模塊連接,用于在真空壓下進行基片的輸送;
設(shè)置在所述負載鎖定室內(nèi)的載置臺,其用于交接已由處理模塊處理過的基片,并且具有支承被交接的基片的交接機構(gòu);以及
檢測部,其與基片被所述交接機構(gòu)支承的位置對應(yīng)地設(shè)定檢測區(qū)域,在該檢測區(qū)域中檢測基片。
發(fā)明效果
依照本發(fā)明,能夠在負載鎖定模塊內(nèi)檢測基片。
附圖說明
圖1是表示本發(fā)明的基片處理裝置的第1實施方式的俯視圖。
圖2是表示上述基片處理裝置的縱截側(cè)視圖。
圖3是表示設(shè)置在上述基片處理裝置的負載鎖定模塊的閥體的一例的立體圖。
圖4是表示設(shè)置于上述閥體的檢測部的一例和晶片的俯視圖。
圖5是表示上述閥體和檢測部的立體圖。
圖6是表示設(shè)置在上述負載鎖定模塊的載置臺和檢測部的側(cè)視圖。
圖7是表示設(shè)置在上述負載鎖定模塊的載置臺和檢測部的側(cè)視圖。
圖8是表示本發(fā)明的基片的輸送方法的一例的流程圖。
圖9是表示設(shè)置在本發(fā)明的基片處理裝置的第2實施方式的負載鎖定模塊的載置臺和檢測部的側(cè)視圖。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于東京毅力科創(chuàng)株式會社,未經(jīng)東京毅力科創(chuàng)株式會社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010098800.7/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





