[發(fā)明專利]用于改善低溫下性能的太陽(yáng)能電池設(shè)計(jì)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010098772.9 | 申請(qǐng)日: | 2020-02-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111834471A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-10-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | P·T·肖;C·M·菲澤;X·劉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 波音公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0216 | 分類號(hào): | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0304;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245 | 代理人: | 張全信 |
| 地址: | 美國(guó)伊*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 改善 低溫 性能 太陽(yáng)能電池 設(shè)計(jì) | ||
本發(fā)明的名稱是用于改善在低溫下性能的太陽(yáng)能電池設(shè)計(jì)。一種太陽(yáng)能電池,該太陽(yáng)能電池具有由砷化鎵(GaAs)或砷化銦鎵(InGaAs)組成的電池,該太陽(yáng)能電池具有由p型摻雜的砷化鋁鎵(AlGaAs)或砷化銦鋁鎵(InAlGaAs)組成的背面場(chǎng)(BSF),用于在低于?50℃的溫度下增強(qiáng)太陽(yáng)能電池的運(yùn)行。在一個(gè)實(shí)例中,背面場(chǎng)包括AlxGa1?xAs或In0.01AlxGa1?xAs,其中x小于約0.8,例如0.2。背面場(chǎng)可以是利用鋅(Zn)或碳(C)p型摻雜的。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開(kāi)一般地涉及用于改善低溫下性能的太陽(yáng)能電池設(shè)計(jì)。
背景技術(shù)
盡管標(biāo)準(zhǔn)的天基太陽(yáng)能電池在運(yùn)行在接近或高于室溫的任務(wù)中使用,但現(xiàn)在太陽(yáng)能電池的許多新應(yīng)用需要在遠(yuǎn)低于-50℃的溫度下運(yùn)行。
例如,UAV(無(wú)人飛行器)可以在溫度接近-70℃的超過(guò)50,000英尺的高度上運(yùn)行。在另一個(gè)實(shí)例中,對(duì)木星和土星的深空探索在-140至-165℃之間運(yùn)行。
因此,對(duì)于這些越來(lái)越常見(jiàn)的應(yīng)用,低溫下的太陽(yáng)能電池性能至關(guān)重要。不幸的是,許多太陽(yáng)能電池針對(duì)接近室溫的性能進(jìn)行優(yōu)化,而在低溫下的性能明顯喪失。
因此,具有對(duì)在低于約-50℃的溫度下運(yùn)行而優(yōu)化的裝置的太陽(yáng)能電池設(shè)計(jì)的需求。
發(fā)明內(nèi)容
本公開(kāi)描述了一種裝置,其包括:太陽(yáng)能電池,其具有由砷化鎵(GaAs)或砷化銦鎵(InGaAs)組成的電池,該太陽(yáng)能電池具有由p型摻雜的砷化鋁鎵 (AlGaAs)或砷化銦鋁鎵(InAlGaAs)組成的背面場(chǎng)(BSF),用于增強(qiáng)在低于約-50℃的溫度下的太陽(yáng)能電池運(yùn)行。
背面場(chǎng)可包括AlxGa1-xAs或In0.01AlxGa1-xAs,其中x小于約0.8,例如,其中x=0.2。背面場(chǎng)可以利用鋅(Zn)或碳(C)p型摻雜的。
與由磷化銦鎵(GaInP)組成的中間電池背面場(chǎng)相比,上述背面場(chǎng)可以與具有較低的勢(shì)壘高度的中間電池(MC)基體形成異質(zhì)結(jié)。
上述背面場(chǎng)可以與在價(jià)帶中具有約90meV或更低的勢(shì)壘高度的中間電池基體形成異質(zhì)結(jié)。勢(shì)壘高度允許大多數(shù)載流子空穴的熱化降至低于約-50℃的溫度,其消除了與勢(shì)壘相關(guān)的電阻損耗。勢(shì)壘高度消除了電阻損耗。
在室溫和約-150℃的溫度之間的溫度范圍內(nèi),太陽(yáng)能電池的效率隨溫度降低而單調(diào)遞增。
本公開(kāi)還描述了一種方法,其包括:制造太陽(yáng)能電池,該太陽(yáng)能電池具有由鋅摻雜的砷化鋁鎵組成的中間電池背面場(chǎng),用于在低于約-50℃的溫度下增強(qiáng)太陽(yáng)能電池的運(yùn)行。
此外,本公開(kāi)描述了一種方法,其包括:使用太陽(yáng)能電池產(chǎn)生電流,該太陽(yáng)能電池具有由砷化鎵(GaAs)或砷化銦鎵(InGaAs)組成的電池,該太陽(yáng)能電池具有由p型摻雜的砷化鋁鎵(AlGaAs)或砷化銦鋁鎵(InAlGaAs)組成的背面場(chǎng),用于在低于約-50℃的溫度下增強(qiáng)太陽(yáng)能電池的運(yùn)行。
最后,本公開(kāi)描述了一種裝置,其包括:太陽(yáng)能電池,其具有中間電池基體和中間電池背面場(chǎng),用于增強(qiáng)在低于約-50℃的溫度下太陽(yáng)能電池運(yùn)行;其中基體由砷化鎵(GaAs)或砷化鎵銦(GaInAs)組成,并且背面場(chǎng)由一種材料組成,致使:背面場(chǎng)相對(duì)于基體具有小于約100meV的價(jià)帶偏移;背面場(chǎng)相對(duì)于基體具有I型或II型帶排列;并且背面場(chǎng)相對(duì)于基體保持大于約0meV的導(dǎo)帶偏移,以便背面場(chǎng)充當(dāng)異級(jí)(hetero-step)鈍化層,并且將少數(shù)載流子電子反射回p-n結(jié)進(jìn)行收集。
基面場(chǎng)的晶格常數(shù)可以與中間電池基體的晶格常數(shù)大約相同。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





