[發明專利]一種評估聚合物基自修復膜自修復極限的方法

有效

• 申請號: 202010098549.4
• 申請日: 2020-02-18
• 公開（公告）號: CN111474387B
• 公開（公告）日: 2022-04-15
• 發明（設計）人: 陳洪旭;李海東;程鳳梅;林祥松;陳超
• 申請（專利權）人: 嘉興學院
• 主分類號: G01Q60/24
• 分類號: G01Q60/24;G01N23/225
• 代理公司: 上海統攝知識產權代理事務所(普通合伙) 31303
• 代理人: 杜亞

1.一種評估聚合物基自修復膜自修復極限的方法，其特征是：將聚合物基自修復膜循環進行刻蝕—自修復—測量過程，直至測量結果超出規定；記錄循環次數N，即記為該聚合物基自修復膜的自修復極限，具體步驟如下：

（1）刻蝕：對聚合物基自修復膜進行刻蝕使得聚合物基自修復膜上表面形成特定裂紋結構；

（2）自修復：將刻蝕后的聚合物基自修復膜靜置進行自修復；所述的靜置為將聚合物基自修復膜置于溫度為20~25℃的自修復環境中進行自修復30min；自修復環境為去離子水、空氣或者紫外光；

（3）測量：得出自修復后的聚合物基自修復膜的裂紋形貌和上表面粗糙度值D；

當裂紋形貌目視無明顯裂紋且D小于等于閾值K時，該自修復膜重復步驟（1）~（3），并且重復的步驟（1）中所形成的裂紋結構與第一次所述特定裂紋結構相同，即尺寸相同；

所述測量結果超出規定，即當裂紋形貌目視存在明顯裂紋或者D大于閾值K，則停止步驟循環，記錄到上一次循環的次數，即得到步驟（1）~（3）的循環次數N；

所述特定裂紋結構由多個相同的且具有一定間距的裂紋構成，每個裂紋的尺寸用直徑和深度表示；所述的每個裂紋為微納米錐；所述微納米錐的底部直徑為200nm~5μm、深度為200nm~8μm；

所述的閾值K為100nm。

2.根據權利要求1所述的一種評估聚合物基自修復膜自修復極限的方法，其特征在于，所述的聚合物基自修復膜為支化聚乙烯基亞胺和聚丙烯酸多層膜、支化聚乙烯基亞銨和聚乳酸多層膜、聚乙烯醇和聚丙烯酸自修復水凝膠電解質膜、聚丙烯酸和2-(二乙氨基)甲基丙烯酸乙酯聚離子復合物水凝膠膜、多巴胺-氧化海藻酸鈉和聚丙烯酰胺水凝膠膜、偏二氟乙烯和六氟丙烯的共聚物膜、環糊精的超分子水凝膠膜、含環氧丙烷的殼聚糖膜、硝基多巴胺修飾的殼聚糖膜、接枝聚6-丙烯酰胺基己酸的海藻酸膜或者含丙烯酰胺的海藻酸膜。

3.根據權利要求1所述的一種評估聚合物基自修復膜自修復極限的方法，其特征在于，所述刻蝕中的聚合物基自修復膜還置于一個基底上，所述基底為硅基底、玻璃基底或者石英基底。

4.根據權利要求1所述的一種評估聚合物基自修復膜自修復極限的方法，其特征在于，所述的刻蝕采用的刻蝕模板為聚苯乙烯微球，且在刻蝕完成后移除。

5.根據權利要求4所述的一種評估聚合物基自修復膜自修復極限的方法，其特征在于，聚苯乙烯微球的直徑為500nm~5μm。

6.根據權利要求1所述的一種評估聚合物基自修復膜自修復極限的方法，其特征在于，所述的測量采用的設備是原子力顯微鏡和掃描電子顯微鏡。

7.根據權利要求1所述的一種評估聚合物基自修復膜自修復極限的方法，其特征在于，刻蝕采用的是等離子刻蝕技術。