[發明專利]半導體裝置和用于制造半導體裝置的方法

在審

• 申請號: 202010098374.7
• 申請日: 2020-02-18
• 公開（公告）號: CN111599784A
• 公開（公告）日: 2020-08-28
• 發明（設計）人: M·施塔德勒
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/492
• 分類號: H01L23/492;H01L21/3213;H01L21/60
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 郭毅

1.一種半導體裝置，其包括：

下半導體芯片；

上半導體芯片，其布置在所述下半導體芯片的上主側的上方；

金屬化層，其布置在所述下半導體芯片的上主側上；

粘合材料，其將所述上半導體芯片固定在所述下半導體芯片上；

其中，所述金屬化層具有如下結構：所述結構與所述金屬化層的其余部分相比具有增大的粗糙度，其中，所述結構沿著所述上半導體芯片的輪廓布置。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述結構具有多個凹部。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，所述凹部是完全延伸穿過所述金屬化層的孔。

4.根據權利要求2或3所述的半導體裝置，其中，所述凹部具有0.05mm至0.5mm范圍內的棱邊長度或直徑。

5.根據以上權利要求中任一項所述的半導體裝置，其中，所述結構完全包圍所述上半導體芯片。

6.根據以上權利要求中任一項所述的半導體裝置，其中，由所述結構將通過所述粘合材料對所述下半導體芯片的上主側的浸潤限制到所述上半導體芯片下方的區域內。

7.根據以上權利要求中任一項所述的半導體裝置，其中，所述粘合材料是膠粘劑。

8.根據以上權利要求中任一項所述的半導體裝置，其中，所述金屬化層是所述下半導體芯片的電極的金屬化部。

9.根據以上權利要求中任一項所述的半導體裝置，其中，所述金屬化層包括Cu或Al或由Cu或Al構成。

10.根據以上權利要求中任一項所述的半導體裝置，其中，所述結構如此構型，使得在所述金屬化層中存在通過所述結構的電流路徑，所述電流路徑處于所述金屬化層在所述上半導體芯片下方的區域與所述金屬化層在所述上半導體芯片的輪廓之外的區域之間。

11.一種半導體裝置，其包括：

下半導體芯片；

上半導體芯片，其布置在所述下半導體芯片的上主側的上方；

金屬化層，其布置在所述下半導體芯片的上主側上；

粘合材料，其將所述上半導體芯片固定在所述下半導體芯片上；

其中，所述金屬化層具有表面結構化部，所述表面結構化部具有多個凹部，其中，所述表面結構化部沿著所述上半導體芯片的輪廓布置。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置，其中，所述凹部如此相對于彼此布置，使得彼此間的距離不大于所述凹部的直徑或棱邊長度的兩倍。

13.根據權利要求11或12所述的半導體裝置，其中，所述凹部是完全延伸穿過所述金屬化層的孔。

14.一種用于制造半導體裝置的方法，所述方法包括：

提供下半導體芯片；

將金屬化層施加在所述下半導體芯片的上主側上；

將所述金屬化層結構化；

借助粘合材料將上半導體芯片固定在所述下半導體芯片的上主側上；

其中，將所述金屬化層如此結構化，使得與所述金屬化層的其余部分相比，所述金屬化層沿著所述上半導體芯片的輪廓具有增大的粗糙度，

其中，由所述結構將通過所述粘合材料對所述下半導體芯片的上主側的浸潤限制到所述上半導體芯片下方的區域內。

15.根據權利要求14所述的方法，其中，所述金屬化層的施加包括噴濺。

16.根據權利要求14或15所述的方法，其中，所述金屬化層的結構化包括施加光掩模和對所述金屬化層進行蝕刻。