[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010098360.5
• 申請日: 2020-02-18
• 公開（公告）號: CN111584422B
• 公開（公告）日: 2023-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: O·霍爾菲爾德
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 劉炳勝

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

半導(dǎo)體襯底(10)，所述半導(dǎo)體襯底(10)包括電介質(zhì)絕緣層(110)以及布置在所述電介質(zhì)絕緣層(110)的第一側(cè)上的至少第一金屬化層(111)，其中，所述第一金屬化層(111)包括至少兩個區(qū)段，每個區(qū)段通過凹陷(14)與相鄰區(qū)段隔開；

半導(dǎo)體主體(20)，布置在所述第一金屬化層(111)的所述區(qū)段之一上；以及

至少一個凹痕(30)，布置在所述半導(dǎo)體主體(20)的第一側(cè)(L1、L2、B1、B2)和所述第一金屬化層(111)的相應(yīng)區(qū)段的最近邊緣之間，其中，所述第一側(cè)(L1、L2、B1、B2)與所述第一金屬化層(111)的所述區(qū)段的所述最近邊緣之間的距離(d1、d2)處于0.5mm和5mm之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括下述選項中的至少之一：

至少一個凹痕(30)，布置在所述半導(dǎo)體主體(20)的第二側(cè)(L1、L2、B1、B2)和所述第一金屬化層(111)的所述相應(yīng)區(qū)段的最近邊緣之間，其中，所述第二側(cè)(L1、L2、B1、B2)與所述第一金屬化層(111)的所述區(qū)段的所述最近邊緣之間的距離(d1、d2)處于0.5mm和5mm之間；以及

至少一個凹痕(30)，布置在所述半導(dǎo)體主體(20)的第三側(cè)(L1、L2、B1、B2)和所述第一金屬化層(111)的所述相應(yīng)區(qū)段的最近邊緣之間，其中，所述第三側(cè)(L1、L2、B1、B2)與所述第一金屬化層(111)的所述區(qū)段的所述最近邊緣之間的距離(d1、d2)處于0.5mm和5mm之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述至少一個凹痕(30)中的每一個的截面具有圓形形狀、橢圓形狀、矩形形狀、方形形狀、菱形形狀或斜方形形狀。

4.根據(jù)權(quán)利要求1到3中的任何一項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述至少一個凹痕(30)中的每一個在第一方向(x)的最大延伸量(r2)處于300μm和1000μm之間，其中，所述第一方向(x)垂直于所述半導(dǎo)體主體(20)的所述相應(yīng)側(cè)(L1、L2、B1、B2)和所述第一金屬化層(111)的所述相應(yīng)區(qū)段的所述最近邊緣。

5.根據(jù)權(quán)利要求1到4中的任何一項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一金屬化層(111)具有第一厚度(l1)，并且其中，所述至少一個凹痕(30)中的每一個的深度(l2)處于所述第一金屬化層(111)的所述厚度(l1)的60％和100％之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1到5中的任何一項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述至少一個凹痕(30)中的每一個與所述第一金屬化層(111)的所述區(qū)段的所述相應(yīng)邊緣之間的距離(d4)處于0mm和3mm之間。

7.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任何一項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述至少一個凹痕(30)相對于所述半導(dǎo)體主體(20)在所述第二方向(z)的最遠邊緣縮進，使得所述至少一個凹痕(30)與所述半導(dǎo)體主體(20)在所述第二方向(z)的最遠邊緣之間的距離(d3)處于所述半導(dǎo)體主體(20)在所述第二方向(z)的最大長度(d5)的10％和30％之間。

8.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任何一項所述的半導(dǎo)體裝置，包括多個凹痕(30)，所述多個凹痕(30)處于所述半導(dǎo)體主體(20)的所述第一側(cè)(L1、L2、B1、B2)與所述第一金屬化層(111)的所述相應(yīng)區(qū)段的所述最近邊緣之間，其中，所述多個凹痕(30)按照一行布置在所述半導(dǎo)體主體(20)的所述第一側(cè)(L1、L2、B1、B2)和所述第一金屬化層(111)的所述相應(yīng)區(qū)段的所述最近邊緣之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述一行凹痕(30)平行于所述半導(dǎo)體主體20的相應(yīng)側(cè)延伸。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述一行凹痕(30)中的兩個相鄰凹痕(30)之間的距離(d6)為至少50μm。