[發明專利]納米結構體陣列、氫檢測用元件及氫檢測裝置在審
| 申請號： | 202010097888.0 | 申請日： | 2020-02-17 |
| 公開（公告）號： | CN111595825A | 公開（公告）日： | 2020-08-28 |
| 發明（設計）人： | 西島喜明;岡崎慎司;紅貴朗;山作直貴;巖井武 | 申請（專利權）人： | 國立大學法人橫浜國立大學;東京應化工業株式會社 |
| 主分類號： | G01N21/552 | 分類號： | G01N21/552 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 楊宏軍;焦成美 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米 結構 陣列 檢測 元件 裝置 | ||
1.納米結構體陣列，其具備基體、和形成于該基體上的納米結構體，且所述納米結構體陣列排列有多個所述納米結構體，
所述納米結構體由存在表面等離振子、且具有吸藏及釋放氫的性質的金屬形成，
所述基體由與氫反應而從導體可逆地向電介質變化的氫響應性材料形成，
通過入射至所述納米結構體的光而發生表面等離振子共振。
2.如權利要求1所述的納米結構體陣列，其中，所述納米結構體由至少包含鈀的金屬形成。
3.如權利要求1所述的納米結構體陣列，其中，排列有所述基體與所述納米結構體的多個層疊體。
4.如權利要求1所述的納米結構體陣列，其中，所述氫響應性材料包含選自由釔及鑭系的元素組成的組中的至少一種。
5.如權利要求1所述的納米結構體陣列，其中，在所述基體上排列有多個所述納米結構體。
6.如權利要求5所述的納米結構體陣列，其中，所述氫響應性材料包含選自由金屬三氧化物、金屬五氧化物及包含鎂的合金組成的組中的至少一種。
7.如權利要求1所述的納米結構體陣列，其還具備金屬層，所述金屬層包含選自由金、銀、銅、鈀及鉑組成的組中的至少一種，
所述金屬層與所述基體鄰接，在所述金屬層與所述納米結構體之間配置有所述基體。
8.氫檢測用元件，其為基于表面等離振子共振來檢測氫的氫檢測用元件，
所述氫檢測用元件在基材上具備權利要求1所述的納米結構體陣列。
9.氫檢測裝置，其具備：
權利要求8所述的氫檢測用元件；
能夠對所述氫檢測用元件發射光的光源部；
對經由所述氫檢測用元件的所述光進行接收的受光部；和
基于所述受光部的受光結果來檢測氫的檢測部。
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