[發明專利]芯片和雙電源供電電路在審
| 申請號: | 202010097870.0 | 申請日: | 2020-02-17 |
| 公開(公告)號: | CN111277042A | 公開(公告)日: | 2020-06-12 |
| 發明(設計)人: | 李響;董淵 | 申請(專利權)人: | 上海艾為電子技術股份有限公司 |
| 主分類號: | H02J9/06 | 分類號: | H02J9/06 |
| 代理公司: | 深圳市嘉勤知識產權代理有限公司 44651 | 代理人: | 王敏生 |
| 地址: | 201100 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 芯片 雙電源 供電 電路 | ||
1.一種雙電源供電電路,其特征在于,包括第一供電通路、第二供電通路、切換電路和供電端口;
所述第一供電通路包括電荷泵電路、MOS管MN2、MOS管MP2以及具備反向鉗位作用的二極管D1,所述電荷泵電路的輸入端用于接入第一電源提供的電壓,所述電荷泵電路的輸出端與所述MOS管MN2的柵極連接,所述MOS管MN2的漏極用于接入第一電源提供的電壓,所述MOS管MN2的源極與所述MOS管MP2的漏極連接,所述MOS管MP2的漏極與所述供電端口連接,所述二極管D1的陰極與所述電荷泵電路的輸入端連接,所述二極管D1的陽極接地,所述二極管D1用于令第一電源提供的電壓輸至電荷泵電路的輸入端,所述電荷泵電路響應于第一電源提供的電壓進行增壓以觸發MOS管MN2導通并使之工作在深線性區;
所述第二供電通路包括MOS管MP1,所述MOS管MP1的漏極用于接入第二電源提供的電壓,所述MOS管MP1的源極與所述供電端口連接;
所述切換電路用于在判定第一電源供電時選擇導通所述MOS管MP2以導通所述第一供電通路,在判定第二電源供電時選擇導通所述MOS管MP1以導通所述第二供電通路。
2.根據權利要求1所述的供電電路,其特征在于,所述切換電路包括比較器和控制邏輯電路,所述比較器的第一輸入端用于接入第一電源提供的電壓,所述比較器的第二輸入端用于接入第二電源提供的電壓,所述比較器的輸出端與所述控制邏輯電路的輸入端連接,所述控制邏輯電路的一輸出端與所述MOS管MP2的柵極連接,另一輸出端與所述MOS管MP1的柵極連接;所述比較器用于比較第一電源提供的電壓和第二電源提供的電壓,所述控制邏輯電路用于在所述比較器比較出第一電源提供的電壓大于第二電源提供的電壓時判定第一電源供電,從而選擇導通所述MOS管MP2,并用于在所述比較器比較出第一電源提供的電壓小于第二電源提供的電壓時判定第二電源供電,從而選擇導通所述MOS管MP1。
3.根據權利要求2所述的供電電路,其特征在于,所述比較器的第一輸入端與所述MOS管MN2的源極連接,所述比較器則用于比較所述MOS管MN2的源極電壓與第二電源提供的電壓。
4.根據權利要求2所述的供電電路,其特征在于,所述供電電路還包括失調電壓器,所述MOS管MN2源極與所述失調電壓器的輸入端連接,所述比較器的第一輸入端與所述失調電壓器的輸出端連接。
5.根據權利要求1所述的供電電路,其特征在于,所述供電電路還包括MOS管MN1,其中所述MOS管MN2的漏極與所述MOS管MN1的漏極連接,所述MOS管MN1的源極用于接入第一電源提供的電壓,所述MOS管MN1的柵極接入驅動電壓。
6.根據權利要求1所述的供電電路,其特征在于,所述第一電源的電壓上限高于第二電源,所述供電電路還包括鉗位電路,所述鉗位電路與MOS管MN2管的柵極連接,所述鉗位電路使得MOS管MN2管的源極電壓低于預設電壓,所述MOS管MP2采用該預設電壓以下的PMOS管器件。
7.根據權利要求2所述的供電電路,其特征在于,所述控制邏輯電路內具備時間保持模塊,用于在供電電路從第一電源切換為第二電源供電時,提供電源保持時間,令所述第一供電通路在所述電源保持時間導通。
8.根據權利要求1-7任一項所述的供電電路,其特征在于,所述供電電路還包括輔助啟動電路,所述輔助啟動電路的控制端和所述電荷泵電路的輸入端相連接,所述輔助啟動電路的輸入端和所述MOS管的漏極連接,所述輔助啟動電路的輸出端和供電端口相連,用于輔助所述第一供電通路啟動。
9.根據權利要求8所述的供電電路,其特征在于,所述輔助啟動電路包括均為N型的MOS管MN3和MOS管MN4,MOS管MN3的漏極與MOS管MN2的漏極連接,MOS管MN3的柵極與所述電荷泵電路的輸入端連接,MOS管MN3的源極與MOS管MN4的源極連接,MOS管MN4的柵極與所述電荷泵電路的輸入端連接,MOS管MN4的漏極與所述供電端口連接。
10.一種芯片,其特征在于,形成有如權利要求1-9任一項所述的供電電路,所述供電電路的供電端口的電壓用于為所述芯片的內部電路供電。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海艾為電子技術股份有限公司,未經上海艾為電子技術股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010097870.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





