[發明專利]一種膜間結合方式的等離子化學氣相沉積法鍍疏水膜方法

有效

• 申請號: 202010097649.5
• 申請日: 2020-02-17
• 公開（公告）號: CN111188032B
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 呂偉桃;梁宸
• 申請（專利權）人: 佛山市思博睿科技有限公司
• 主分類號: C23C16/513
• 分類號: C23C16/513;C23C16/02
• 代理公司: 上海瀚橋專利代理事務所(普通合伙) 31261
• 代理人: 曹芳玲

1.一種膜間結合方式的等離子化學氣相沉積法鍍疏水膜方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)、前處理：將待處理工件放入反應腔，向反應腔內通入C₃F₆和/或C₄F₈，在真空條件下以電離的C₃F₆和/或C₄F₈對工件表面進行處理；

(2)、活化：在反應腔內利用等離子氣體對工件表面進行活化處理；

(3)、汽化：將親水材料和疏水材料混合均勻得到混合鍍膜材料，汽化后的混合鍍膜材料進入反應腔；所述親水材料和疏水材料均為硅烷類材料，所述疏水材料包含氟元素，所述親水材料包含親水性基團；

(4)、沉積：設定反應腔內的射頻功率為第一功率300-400W，在0.01-0.05mbar的真空度下沉積親水膜；之后調整反應腔內的射頻功率為第二功率600-800W，在0.08-0.15mbar的真空度下沉積疏水膜；

(5)、后處理：將經步驟（4）之后的工件密封包裝，放置于恒溫恒濕環境20-45min以保證樣品隔絕空氣中的氧氣和水分。

2.根據權利要求1所述的膜間結合方式的等離子化學氣相沉積法鍍疏水膜方法，其特征在于，所述步驟(1)中，在向反應腔通入C₃F₆和/或C₄F₈的同時通入惰性氣體。

3.根據權利要求1所述的膜間結合方式的等離子化學氣相沉積法鍍疏水膜方法，其特征在于，所述步驟(1)中，反應腔內的射頻功率為300-400W，真空度為0.04-0.08mbar。

4.根據權利要求1所述的膜間結合方式的等離子化學氣相沉積法鍍疏水膜方法，其特征在于，所述步驟(2)中，利用O₂進行等離子氣體表面活化。

5.根據權利要求1所述的膜間結合方式的等離子化學氣相沉積法鍍疏水膜方法，其特征在于，氣體從所述反應腔的氣體進口端進入，自與氣體進口端相對的另一端以抽真空方式抽出；在步驟(4)中，沉積親水膜和沉積疏水膜過程中，汽化的混合鍍膜材料持續通入反應腔內同時反應腔持續氣體排出。

6.根據權利要求1所述的膜間結合方式的等離子化學氣相沉積法鍍疏水膜方法，其特征在于，步驟(3)中，所述混合鍍膜材料在加熱杯中汽化，混合鍍膜材料在加熱杯的加入量是4-10ul/s，加熱杯的加熱溫度是75-100℃。

7.根據權利要求1所述的膜間結合方式的等離子化學氣相沉積法鍍疏水膜方法，其特征在于，所述步驟(4)中，沉積親水材料時向反應腔同步通入輔助氣體氧氣；沉積疏水材料時向反應腔同步通入輔助氣體氮氣。

8.根據權利要求7所述的膜間結合方式的等離子化學氣相沉積法鍍疏水膜方法，其特征在于，所述步驟(4)中，沉積疏水材料過程中采用脈沖波，疏水膜的厚度增長速度為10～20nm/min。