[發(fā)明專利]一種垃圾填埋場(chǎng)膜濃縮滲濾液處理方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010097390.4
• 申請(qǐng)日: 2020-02-17
• 公開（公告）號(hào): CN111362494A
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃開明;高本修;冷超群;李紅;王雪霞;胡文立;陳俊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢天源環(huán)保股份有限公司
• 主分類號(hào): C02F9/10
• 分類號(hào): C02F9/10;C02F103/06
• 代理公司: 北京匯澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11228
• 代理人: 吳靜

1.一種垃圾填埋場(chǎng)膜濃縮滲濾液處理方法，其特征在于，包括如下步驟：

1)垃圾填埋場(chǎng)膜濃縮滲濾液引入絮凝沉淀單元，去除滲濾液中大分子有機(jī)物、懸浮物及鈣鎂離子；

2)將絮凝沉淀單元處理后的出水引入TUF膜處理單元，截留滲濾液中小分子顆粒物；

3)將TUF膜處理單元產(chǎn)水引入HPRO高壓反滲透膜處理單元進(jìn)行反滲透處理，形成清水和濃水；

4)將HPRO高壓反滲透膜處理單元產(chǎn)生的清水引入RO處理單元，截留清水中COD和部分鹽，RO處理單元處理后產(chǎn)生的清水進(jìn)入樹脂單元吸附其中氨氮和硝酸銀，達(dá)標(biāo)后排放，RO處理單元處理后產(chǎn)生的濃水再次引入HPRO高壓反滲透膜處理單元中處理；

5)將HPRO高壓反滲透膜處理單元產(chǎn)生的濃水引入物料膜處理單元，截留濃水中COD和重金屬離子，將物料膜處理單元處理后的濃水引入固化單元進(jìn)行減量化、無害化處理，并將物料膜處理單元處理后的清水引入蒸發(fā)處理單元中蒸發(fā)，蒸發(fā)產(chǎn)水引入RO處理單元處理后達(dá)標(biāo)排放，蒸發(fā)母液引入固化單元處理。

2.如權(quán)利要求1所述的一種垃圾填埋場(chǎng)膜濃縮滲濾液處理方法，其特征在于，所述步驟1)絮凝沉淀單元中投加有氧化鈣、PAC和PAM作為藥劑，與垃圾填埋場(chǎng)膜濃縮滲濾液進(jìn)行絮凝沉淀反應(yīng)，反應(yīng)時(shí)間為2～5小時(shí)，所述氧化鈣投加量為垃圾填埋場(chǎng)膜濃縮滲濾液質(zhì)量的0.01～0.5％，所述PAC投加量為垃圾填埋場(chǎng)膜濃縮滲濾液質(zhì)量的0.05～0.5％，PAM投加量為垃圾填埋場(chǎng)膜濃縮滲濾液質(zhì)量的0.001～0.005％。

3.如權(quán)利要求1所述的一種垃圾填埋場(chǎng)膜濃縮滲濾液處理方法，其特征在于，所述步驟1)中絮凝沉淀單元出水SS為100～400mg/L。

4.如權(quán)利要求1所述的一種垃圾填埋場(chǎng)膜濃縮滲濾液處理方法，其特征在于，所述步驟2)中TUF膜處理單元包括TUF管式膜，以及用于自動(dòng)清洗TUF管式膜的清洗裝置；所述清洗裝置每15～30min自動(dòng)清洗TUF管式膜一次。

5.如權(quán)利要求1所述的一種垃圾填埋場(chǎng)膜濃縮滲濾液處理方法，其特征在于，所述步驟3)中HPRO高壓反滲透膜處理單元的運(yùn)行壓力為75～160bar，使HPRO高壓反滲透膜處理單元的清水產(chǎn)出率達(dá)到60～80％。

6.如權(quán)利要求1所述的一種垃圾填埋場(chǎng)膜濃縮滲濾液處理方法，其特征在于，所述步驟4)中RO處理單元的運(yùn)行壓力為0～60bar，使RO處理單元的清水產(chǎn)出率達(dá)到80～90％。

7.如權(quán)利要求1所述的一種垃圾填埋場(chǎng)膜濃縮滲濾液處理方法，其特征在于，所述步驟5)中蒸發(fā)處理單元包括低溫負(fù)壓強(qiáng)制循環(huán)蒸發(fā)器，溫度控制在30～70℃，真空度為0.01～0.006Mpa。

8.如權(quán)利要求7所述的一種垃圾填埋場(chǎng)膜濃縮滲濾液處理方法，其特征在于，所述步驟5)中蒸發(fā)處理單元還包括高壓板框壓濾機(jī)。

9.如權(quán)利要求1所述的一種垃圾填埋場(chǎng)膜濃縮滲濾液處理方法，其特征在于，所述步驟5)中固化單元包括料倉(cāng)區(qū)、反應(yīng)區(qū)、打包區(qū)和堆存區(qū)，并在反應(yīng)區(qū)內(nèi)投加吸水劑和固化劑，使物料膜處理單元處理后的濃水和蒸發(fā)母液形成固體物質(zhì)，反應(yīng)時(shí)間5～10分鐘，堆存時(shí)間5～20天。