[發(fā)明專利]發(fā)光二極管及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010097226.3 | 申請日: | 2020-02-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111584690A | 公開(公告)日: | 2020-08-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃逸儒;郭佑禎;許圣宗;沈志銘;李耀唐;莊東霖;黃琮訓(xùn);黃靖恩 | 申請(專利權(quán))人: | 新世紀(jì)光電股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/10 | 分類號(hào): | H01L33/10;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 羅英;臧建明 |
| 地址: | 中國臺(tái)灣臺(tái)*** | 國省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光二極管 及其 制造 方法 | ||
1.一種發(fā)光二極管,包括:
第一型半導(dǎo)體層;
第二型半導(dǎo)體層;
發(fā)光層,位于所述第一型半導(dǎo)體層與所述第二型半導(dǎo)體層之間;
第一金屬層,位于所述第一型半導(dǎo)體層上且與所述第一型半導(dǎo)體層電性連接;
第二金屬層,位于所述第二型半導(dǎo)體層上且與所述第二型半導(dǎo)體層電性連接;
第一電流傳導(dǎo)層,其中所述第一金屬層位于所述第一電流傳導(dǎo)層與所述第一型半導(dǎo)體層之間,且所述第一電流傳導(dǎo)層通過所述第一金屬層與所述第一型半導(dǎo)體層電性連接;
第二電流傳導(dǎo)層,其中所述第二金屬層位于所述第二電流傳導(dǎo)層與所述第二型半導(dǎo)體層之間,且所述第二電流傳導(dǎo)層通過所述第二金屬層與所述第二型半導(dǎo)體層電性連接;
至少一功能疊層,設(shè)置于所述第一型半導(dǎo)體層、所述發(fā)光層與所述第二型半導(dǎo)體層上,彼此堆疊的至少一絕緣層與功能層,且所述功能層包括電性浮置的反射結(jié)構(gòu)層或緩沖層;
第一接合層,通過所述第一電流傳導(dǎo)層及所述第一金屬層與所述第一型半導(dǎo)體層電性連接;以及
第二接合層,通過所述第二電流傳導(dǎo)層及所述第二金屬層與所述第二型半導(dǎo)體層電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管,其中,
所述至少一功能疊層包括第一功能疊層與第二功能疊層,
其中所述第一功能疊層包括第一上絕緣層、第一功能層與第一下絕緣層,所述第二功能疊層包括第二上絕緣層、第二功能層與第二下絕緣層,其中所述第一功能層包括電性浮置的所述反射結(jié)構(gòu)層,所述第二功能層包括所述緩沖層,
其中所述第一功能疊層位于所述第二型半導(dǎo)體層與所述第二功能疊層之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管,其中,所述反射結(jié)構(gòu)層包括彼此分離的第一反射結(jié)構(gòu)部、第二反射結(jié)構(gòu)部與第三反射結(jié)構(gòu)部,
其中所述第一接合層與所述第一反射結(jié)構(gòu)部重疊設(shè)置,且所述第二接合層與所述第二反射結(jié)構(gòu)部重疊設(shè)置,且所述第三反射結(jié)構(gòu)部位于所述第一反射結(jié)構(gòu)部與所述第二反射結(jié)構(gòu)部之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管,其中,
所述發(fā)光層與所述第二型半導(dǎo)體層具有多個(gè)貫穿開口,所述第一金屬層設(shè)置于所述多個(gè)貫穿開口,
所述第一接合層與所述第二接合層分別與所述第二型半導(dǎo)體層重疊設(shè)置,且分別與所述第一金屬層錯(cuò)位設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管,其中,
局部的所述第一型半導(dǎo)體層、局部的所述發(fā)光層與局部的所述第二型半導(dǎo)體層構(gòu)成第一發(fā)光單元,
另一局部的所述第一型半導(dǎo)體層、另一局部的所述發(fā)光層與另一局部的所述第二型半導(dǎo)體層構(gòu)成第二發(fā)光單元,其中所述第一發(fā)光單元不同于所述第二發(fā)光單元,
其中所述局部的所述第一型半導(dǎo)體層與所述另一局部的所述第一型半導(dǎo)體層分離,所述局部的所述發(fā)光層與所述另一局部的所述發(fā)光層分離,所述局部的所述第二型半導(dǎo)體層與所述另一局部的所述第二型半導(dǎo)體層分離,
其中,所述第一電流傳導(dǎo)層連接所述第一發(fā)光單元與所述第二發(fā)光單元以使兩者串聯(lián)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管,其中,所述反射結(jié)構(gòu)層為連續(xù)的反射結(jié)構(gòu)層,
局部的所述第一型半導(dǎo)體層、局部的所述發(fā)光層與局部的所述第二型半導(dǎo)體層構(gòu)成第一發(fā)光單元,
另一局部的所述第一型半導(dǎo)體層、另一局部的所述發(fā)光層與另一局部的所述第二型半導(dǎo)體層構(gòu)成第二發(fā)光單元,其中所述第一發(fā)光單元不同于所述第二發(fā)光單元,
其中所述局部的所述第一型半導(dǎo)體層與所述另一局部的所述第一型半導(dǎo)體層分離,所述局部的所述發(fā)光層與所述另一局部的所述發(fā)光層分離,所述局部的所述第二型半導(dǎo)體層與所述另一局部的所述第二型半導(dǎo)體層分離,
其中,所述第一電流傳導(dǎo)層連接所述第一發(fā)光單元與所述第二發(fā)光單元以使兩者串聯(lián)。
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