[發(fā)明專利]用于產(chǎn)生低電壓域的獨(dú)立于過程、電壓、溫度(PVT)的電流的系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010097225.9
• 申請(qǐng)日: 2020-02-17
• 公開（公告）號(hào): CN111831044B
• 公開（公告）日: 2022-08-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 褚煒路
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號(hào): G05F1/567
• 分類號(hào): G05F1/567
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種設(shè)備，其包括：

帶隙電路，其被配置成輸出帶隙電壓和與絕對(duì)溫度成比例PTAT的第一電流；

修整電路，其被配置成至少部分地基于所述帶隙電壓輸出參考電壓，其中所述參考電壓不同于所述帶隙電壓；和

參考電流產(chǎn)生電路，其包括：

與絕對(duì)溫度互補(bǔ)CTAT的電流產(chǎn)生部分，其被配置成基于所述參考電壓產(chǎn)生CTAT電流；

PTAT電流調(diào)諧部分，其被配置成：

從所述帶隙電路接收所述第一PTAT電流；和

調(diào)諧所述第一PTAT電流以產(chǎn)生第二PTAT電流，其中所述第二PTAT電流與所述CTAT電流互補(bǔ)；和

獨(dú)立于變化的參考電流產(chǎn)生部分，其被配置成至少部分地基于所述CTAT電流和所述第二PTAT電流產(chǎn)生參考電流，其中所述參考電流產(chǎn)生電路經(jīng)配置以由與驅(qū)動(dòng)所述帶隙電路的電源電壓VPP不同的電壓驅(qū)動(dòng)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述修整電路包括電阻器堆疊，其被配置成將所述帶隙電壓調(diào)整為所述參考電壓的電壓電平。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述參考電壓是0.8伏特，且其中所述參考電流獨(dú)立于過程、電壓和溫度PVT條件的變化。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其包括耦合到所述CTAT電流產(chǎn)生部分、所述PTAT電流調(diào)諧部分和所述獨(dú)立于變化的參考電流產(chǎn)生部分的電壓跟隨器放大器。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中所述電壓跟隨器放大器被配置成：

從所述修整電路接收所述參考電壓；和

將所述參考電壓輸出到所述CTAT電流產(chǎn)生部分。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述CTAT電流產(chǎn)生部分包括CTAT電阻器，且其中所述CTAT電阻器被配置成至少部分地基于跨所述CTAT電阻器的等效于所述參考電壓的電壓降，產(chǎn)生所述CTAT電流。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述PTAT電流調(diào)諧部分包括被配置成產(chǎn)生所述第二PTAT電流的多個(gè)金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET分支。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中所述多個(gè)MOSFET分支的第一部分被配置成從所述帶隙電路接收所述第一PTAT電流，且其中所述多個(gè)MOSFET分支的所述第一部分被配置成通過形成使所述第一PTAT電流的量值除以所述多個(gè)MOSFET分支的所述第一部分的MOSFET分支的數(shù)目的電流除法器，調(diào)諧所述第一PTAT電流以產(chǎn)生所述第二PTAT電流。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中所述多個(gè)MOSFET分支的第二部分以電流鏡配置耦合到所述多個(gè)MOSFET分支的所述第一部分。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中所述多個(gè)MOSFET分支的第二部分被配置成：仿真所述多個(gè)MOSFET分支的所述第一部分所產(chǎn)生的所述第二PTAT電流；和將所述第二PTAT電流發(fā)射到所述獨(dú)立于變化的參考電流產(chǎn)生部分。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述獨(dú)立于變化的參考電流產(chǎn)生部分耦合到所述CTAT電流產(chǎn)生部分的CTAT電阻器和所述PTAT電流調(diào)諧部分的金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET分支。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述獨(dú)立于變化的參考電流產(chǎn)生部分包括MOSFET分支，其被配置成通過將所述CTAT電流與所述第二PTAT電流求和以減小PVT變化對(duì)所述獨(dú)立于變化的參考電流產(chǎn)生部分所輸出的參考電流的效應(yīng)，產(chǎn)生所述參考電流。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中所述獨(dú)立于變化的參考電流產(chǎn)生包括以電流鏡配置耦合到所述MOSFET分支的另一MOSFET分支。