[發明專利]封裝結構及其制造方法

在審

• 申請號: 202010096503.9
• 申請日: 2020-02-17
• 公開（公告）號: CN112530913A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發明（設計）人: 陳偉銘;吳集錫;吳志偉;丁國強;盧思維;侯上勇;施應慶;鄒賢儒;李澄杰
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L21/98;H01L23/31;H01L23/367;H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 薛恒;王琳

本揭露實施例是有關于一種封裝結構及其制造方法。一種封裝結構包括電路元件、第一半導體管芯、第二半導體管芯、散熱元件以及絕緣包封體。第一半導體管芯及第二半導體管芯位于電路元件上。散熱元件連接到第一半導體管芯，且第一半導體管芯位于電路元件與散熱元件之間，其中第一半導體管芯的第一厚度與散熱元件的第三厚度之和實質上等于第二半導體管芯的第二厚度。絕緣包封體包封第一半導體管芯、第二半導體管芯及散熱元件，其中散熱元件的表面與絕緣包封體實質上齊平。

技術領域

本揭露實施例是有關于一種封裝結構及其制造方法。

背景技術

半導體器件及集成電路(integrated circuit，IC)通常是在單個半導體晶片上制造。在晶片級工藝中，可對晶片的管芯進行加工并與其他半導體裝置或其他管芯封裝在一起，且用于晶片級封裝的各種技術(例如，形成重布線路結構/層)已被開發。另外，這種封裝可在切分(dicing)之后進一步集成/整合到半導體襯底或載體。

發明內容

本揭露實施例提供一種封裝結構，所述封裝結構包括電路元件、第一半導體管芯、第二半導體管芯、散熱元件以及絕緣包封體。所述第一半導體管芯及所述第二半導體管芯位于所述電路元件上。所述散熱元件連接到所述第一半導體管芯，且所述第一半導體管芯位于所述電路元件與所述散熱元件之間，其中所述第一半導體管芯的第一厚度與所述散熱元件的第三厚度之和實質上等于所述第二半導體管芯的第二厚度。所述絕緣包封體包封所述第一半導體管芯、所述第二半導體管芯及所述散熱元件，其中所述散熱元件的表面與所述絕緣包封體的表面實質上齊平。

本揭露實施例提供一種制造封裝結構的方法包括以下步驟，提供連接有散熱元件的第一半導體管芯；提供第二半導體管芯；將所述第一半導體管芯、所述第二半導體管芯及所述散熱元件包封在絕緣包封體中；以及將所述絕緣包封體平坦化，以使所述絕緣包封體暴露出所述散熱元件，其中所述第一半導體管芯的第一厚度與所述散熱元件的第三厚度之和實質上等于所述第二半導體管芯的第二厚度。

本揭露實施例提供一種制造封裝結構的方法包括以下步驟，提供至少一個第一半導體管芯及至少一個第二半導體管芯；在所述至少一個第一半導體管芯的表面上設置虛設元件，所述至少一個第一半導體管芯位于所述虛設元件之上；將所述至少一個第一半導體管芯、所述至少一個第二半導體管芯及所述虛設元件包封在絕緣包封體中；將所述絕緣包封體平坦化，以使所述絕緣包封體的表面暴露出所述虛設元件；移除所述虛設元件，以在所述絕緣包封體中形成凹槽；以及在所述至少一個第一半導體管芯上及在所述凹槽中設置散熱元件，其中所述至少一個第一半導體管芯的第一厚度與所述散熱元件的第三厚度之和實質上等于所述至少一個第二半導體管芯的第二厚度。

附圖說明

接合附圖閱讀以下詳細說明，會最好地理解本公開的各個方面。應注意，根據本行業中的標準慣例，各種特征并非按比例繪制。事實上，為使論述清晰起見，可任意增大或減小各種特征的尺寸。

圖1到圖13及圖14A是根據本公開一些實施例的封裝結構的制造方法中的各個階段的示意性剖面圖。

圖14B是根據本公開一些實施例的封裝結構的示意性剖面圖。

圖15是根據本公開一些實施例的封裝結構的示意性剖面圖。

圖16是示出根據本公開一些實施例的制造封裝結構的方法的流程圖。

圖17是根據本公開一些實施例的封裝結構的示意性剖面圖。

圖18到圖19是根據本公開一些實施例的封裝結構的制造方法中的各個階段的示意性剖面圖。

圖20是示出根據本公開一些實施例的制造封裝結構的方法的流程圖。

圖21A及圖21B是根據本公開一些實施例的封裝結構的示意性剖面圖。

圖22是根據本公開一些實施例的封裝結構的示意性剖面圖。