[發明專利]一種改善硅拋光片平整度的方法在審
| 申請號： | 202010096161.0 | 申請日： | 2020-02-17 |
| 公開（公告）號： | CN111230605A | 公開（公告）日： | 2020-06-05 |
| 發明（設計）人： | 石明;李諾;武衛;孫晨光;王聚安;王彥君 | 申請（專利權）人： | 中環領先半導體材料有限公司;天津中環領先材料技術有限公司 |
| 主分類號： | B24B1/00 | 分類號： | B24B1/00 |
| 代理公司： | 天津濱海科緯知識產權代理有限公司 12211 | 代理人： | 耿樹志 |
| 地址： | 214200 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改善 拋光 平整 方法 | ||
1.一種改善硅拋光片平整度的方法，其特征在于：通過磨削改變硅片形貌，再通過低轉速低壓力高流量對硅片拋光，包括以下步驟：
S1、待硅片腐蝕后對拋光面進行磨削，使硅片中部形成凹陷；
S2、采用拋光機對單晶硅晶片進行拋光；
S3、對拋光后的單晶硅拋光片進行去蠟清洗。
2.根據權利要求1所述的一種改善硅拋光片平整度的方法，其特征在于：S1中所述的中部凹陷深度為1.5-2um。
3.根據權利要求1所述的一種改善硅拋光片平整度的方法，其特征在于：在S2中所述拋光機使用有蠟拋光機；
所述拋光操作包括粗拋步驟、中拋步驟以及精拋步驟。
4.根據權利要求3所述的一種改善硅拋光片平整度的方法，其特征在于：所述粗拋步驟使用粗拋液以及粗拋布，粗拋時間設定為8min,拋光機定盤轉速設定為20rpm，拋光機定盤中心輪轉速為40rpm。
5.根據權利要求4所述的一種改善硅拋光片平整度的方法，其特征在于：所述粗拋液稀釋比例為1:20(體積比)，流量為13.0±0.5L/min。
6.根據權利要求3所述的一種改善硅拋光片平整度的方法，其特征在于：所述中拋步驟使用中拋液和中拋布，中拋時間設定為6min,拋光機定盤轉速設定為20rpm，拋光機定盤中心輪轉速為40rpm。
7.根據權利要求6所述的一種改善硅拋光片平整度的方法，其特征在于：所述中拋液稀釋比例為1:40(體積比)，流量為13.0±0.5L/min。
8.根據權利要求3所述的一種改善硅拋光片平整度的方法，其特征在于：所述精拋步驟使用精拋液以及精拋布，精拋時拋光時間設定為8min,拋光機定盤轉速設定為25rpm，拋光機定盤中心輪轉速為25rpm。
9.根據權利要求3所述的一種改善硅拋光片平整度的方法，其特征在于：將粗拋操作過程中的拋光機單位面積壓力調整為260g/cm2；
將中拋操作過程中的拋光機單位面積壓力調整為150g/cm2。
10.根據權利要求1所述的一種改善硅拋光片平整度的方法，其特征在于：在S2中所述拋光操作的拋光去除量在9-11um。
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