[發明專利]加熱裝置、包括該加熱裝置的CVD設備在審
| 申請號: | 202010095741.8 | 申請日: | 2020-02-17 |
| 公開(公告)號: | CN112048713A | 公開(公告)日: | 2020-12-08 |
| 發明(設計)人: | 鄭振宇;謝振南;姜勇 | 申請(專利權)人: | 中微半導體設備(上海)股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/46 | 分類號: | C23C16/46;C23C16/458;C23C16/44 |
| 代理公司: | 上海元好知識產權代理有限公司 31323 | 代理人: | 徐雯瓊;張靜潔 |
| 地址: | 201201 上海市浦東新*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 加熱 裝置 包括 cvd 設備 | ||
1.一種用于加熱可旋轉基片承載臺的加熱裝置,所述基片承載臺具有旋轉軸線(OO’),所述加熱裝置位于基片承載臺下方并與所述基片承載臺在豎直方向上相隔一距離,所述加熱裝置包括主加熱器以及多個輔助加熱器,
所述主加熱器用于加熱上方基片承載臺,
所述多個輔助加熱器到旋轉軸線(OO’)的距離不同,所述多個輔助加熱器中的每個輔助加熱器用于獨立調節主加熱器所加熱區域中的局部溫度。
2.如權利要求1所述加熱裝置,其特征在于,所述多個輔助加熱器呈直線排布。
3.如權利要求1所述加熱裝置,其特征在于,所述輔助加熱器到基片承載臺的距離與所述主加熱器到基片承載臺的距離相同或不相同。
4.如權利要求1所述加熱裝置,其特征在于,所述主加熱器包括主加熱段,所述主加熱段包括多個弧形加熱段。
5.如權利要求1所述加熱裝置,其特征在于,當基片承載臺旋轉時,所述多個輔助加熱器用于加熱所述基片承載臺并形成若干個到旋轉軸線距離不同的輔助環形加熱區,所述若干個輔助環形加熱區的溫度可獨立調節,以調節所述主加熱器所加熱區域的局部溫度。
6.如權利要求4所述加熱裝置,其特征在于,當基片承載臺旋轉時,所述弧形加熱段在基片承載臺上的垂直投影形成第一環形區域,至少一個所述輔助加熱器在基片承載臺上的垂直投影至少部分地處于所述第一環形區域中。
7.如權利要求4所述加熱裝置,其特征在于,當基片承載臺旋轉時,相鄰的所述弧形加熱段之間的間隙在基片承載臺上的垂直投影形成第二環形區域,至少一個所述輔助加熱器在基片承載臺上的垂直投影至少部分地處于所述第二環形區域中。
8.如權利要求4所述加熱裝置,其特征在于,至少一個所述輔助加熱器的徑向位置對應于相鄰弧形加熱段之間的間隙的徑向位置。
9.如權利要求4所述的加熱裝置,其特征在于,至少一個所述輔助加熱器的徑向位置對應于所述弧形加熱段的徑向位置。
10.如權利要求4所述加熱裝置,其特征在于,所述輔助加熱器中的第一組輔助加熱器的徑向位置對應于相鄰弧形加熱段之間的間隙的徑向位置,并且所述輔助加熱器中的第二組輔助加熱器的徑向位置對應于所述弧形加熱段的徑向位置。
11.如權利要求10所述加熱裝置,其特征在于,所述第一組輔助加熱器和所述第二組輔助加熱器分別位于所述旋轉軸線(OO’)的兩側。
12.如權利要求4所述加熱裝置,其特征在于,至少一個所述輔助加熱器的徑向寬度大于相鄰弧形加熱段之間的間隙的寬度。
13.如權利要求4所述加熱裝置,其特征在于,所述主加熱段還包括用于連接不同弧形加熱段的連接部。
14.如權利要求13所述加熱裝置,其特征在于,在所述主加熱段的多個相對連接部之間設置輔助加熱區,所述輔助加熱器位于所述輔助加熱區中。
15.如權利要求14所述加熱裝置,其特征在于,所述輔助加熱區的面積小于所述基片承載臺的面積的1/5。
16.如權利要求1所述加熱裝置,其特征在于,所述輔助加熱器包括第一輔助加熱器和第二輔助加熱器,所述第一輔助加熱器到所述旋轉軸線(OO’)的距離大于所述第二輔助加熱器到所述旋轉軸線(OO’)的距離,且所述第一輔助加熱器的個數大于等于所述第二輔助加熱器的個數。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





