[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010095523.4
• 申請日: 2020-02-17
• 公開（公告）號: CN111584364A
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 倉知俊介;駒谷務(wù)
• 申請（專利權(quán)）人: 住友電工光電子器件創(chuàng)新株式會社
• 主分類號: H01L21/335
• 分類號: H01L21/335;H01L21/768;H01L29/778;H01L23/48
• 代理公司: 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 熊傳芳;蘇卉

1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，具備如下工序：

在形成于SiC基板的主面上的氮化物半導(dǎo)體層上形成源極電極及漏極電極；

在所述氮化物半導(dǎo)體層上的所述源極電極與所述漏極電極之間形成具有包括Ni層及所述Ni層上的Au層的層疊構(gòu)造的柵極電極，在與所述源極電極隔開間隔而相鄰的區(qū)域形成具有與所述柵極電極相同的層疊構(gòu)造的第一金屬膜；

形成與所述源極電極和所述第一金屬膜接觸的第二金屬膜；

形成從所述SiC基板的背面到達所述第一金屬膜的孔；及

在所述孔內(nèi)形成從所述背面到達所述第一金屬膜的金屬通孔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

在形成所述孔的工序中，在通過使用了氟系氣體的反應(yīng)性離子蝕刻對所述SiC基板進行了蝕刻之后，通過使用了氯系氣體的反應(yīng)性離子蝕刻對所述氮化物半導(dǎo)體層進行蝕刻。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

在形成所述孔的工序中，朝向所述SiC基板間歇地照射來源于所述氟系氣體的氟離子。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

在形成所述孔的工序中，朝向所述氮化物半導(dǎo)體層間歇地照射來源于所述氯系氣體的氯離子。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

所述源極電極具有開口，在所述開口內(nèi)形成所述第一金屬膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

所述源極電極的平面形狀為U字狀，在該U字狀的內(nèi)側(cè)形成所述第一金屬膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

所述層疊構(gòu)造在所述Ni層與所述Au層之間包含Pd層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

形成所述源極電極及所述漏極電極的工序包括在500℃～600℃的范圍內(nèi)的溫度下對主要包含Al的多層金屬進行合金化的工序。

9.一種半導(dǎo)體裝置，具備：

SiC基板；

氮化物半導(dǎo)體層，設(shè)于所述SiC基板的主面上；

源極電極及漏極電極，設(shè)于所述氮化物半導(dǎo)體層上；

柵極電極，設(shè)于所述氮化物半導(dǎo)體層上的所述源極電極與所述漏極電極之間，具有包括Ni層及所述Ni層上的Au層的層疊構(gòu)造；

第一金屬膜，設(shè)于在所述氮化物半導(dǎo)體層上與所述源極電極隔開間隔地相鄰的區(qū)域，具有與所述柵極電極相同的層疊構(gòu)造；

第二金屬膜，與所述源極電極和所述第一金屬膜接觸；及

金屬通孔，設(shè)于所述SiC基板的孔內(nèi)，從所述SiC基板的背面到達所述第一金屬膜。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述源極電極及所述漏極電極主要包含Al。

11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述源極電極具有開口，所述第一金屬膜設(shè)于所述開口內(nèi)。

12.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述源極電極的平面形狀為U字狀，所述第一金屬膜設(shè)于該U字狀的內(nèi)側(cè)。

13.根據(jù)權(quán)利要求9～12中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述源極電極具有至少30μm的寬度。