[發(fā)明專利]微型器件轉(zhuǎn)移頭及其制造方法、微型器件的轉(zhuǎn)移方法

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• 申請日: 2020-02-16
• 公開（公告）號: CN111276440A
• 公開（公告）日: 2020-06-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃安;王俊星;朱景輝;徐尚君;高威;朱充沛
• 申請（專利權(quán)）人: 南京中電熊貓平板顯示科技有限公司;南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司;南京華東電子信息科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L33/48
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種微型器件的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：帶有梯形凹槽的微型器件轉(zhuǎn)移頭與待轉(zhuǎn)移的微型器件所在的暫態(tài)基板對位貼合；

S2：真空壓貼將微型器件壓入微型器件轉(zhuǎn)移頭的梯形凹槽內(nèi)；

S3：微型器件轉(zhuǎn)移頭帶走微型器件及其底部的底部電極離開暫態(tài)基板；

S4：微型器件轉(zhuǎn)移頭將微型器件轉(zhuǎn)移至顯示背板上，使微型器件底部的底部電極與顯示背板鍵合；

S5：移走微型器件轉(zhuǎn)移頭。

2.一種微型器件轉(zhuǎn)移頭，用于權(quán)利要求1所述的微型器件的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，包括基礎(chǔ)襯底以及位于基礎(chǔ)襯底上陣列排布的多個梯形凹槽，其中，梯形凹槽底部開口的寬度小于梯形凹槽的頂部的寬度，其中，梯形凹槽的頂部為梯形凹槽與基礎(chǔ)襯底接觸的頂部。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微型器件轉(zhuǎn)移頭，其特征在于，所述梯形凹槽的底部開口的寬度大于所述微型器件的頂部的寬度且小于所述微型器件的底部的寬度。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微型器件轉(zhuǎn)移頭，其特征在于，所述梯形凹槽的深度大于所述微型器件的高度。

5.一種微型器件轉(zhuǎn)移頭的制造方法，用于制造權(quán)利要求2-4任一所述的微型器件轉(zhuǎn)移頭，其特征在于，包括以下步驟：

S01：在轉(zhuǎn)移頭襯底基板上涂布一層負(fù)性光阻層；

S02：通過曝光、顯影工藝在負(fù)性光阻層上形成陣列排布的梯形凹槽。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微型器件轉(zhuǎn)移頭的制造方法，其特征在于，在步驟S01之前對所述轉(zhuǎn)移頭襯底基板表面進(jìn)行粗糙化處理。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微型器件轉(zhuǎn)移頭的制造方法，其特征在于，所述梯形凹槽內(nèi)部的刻蝕角度通過調(diào)整曝光的參數(shù)進(jìn)行控制。

8.一種微型器件轉(zhuǎn)移頭的制造方法，用于制造權(quán)利要求2-4任一所述的微型器件轉(zhuǎn)移頭，其特征在于，包括以下步驟：

S01：在轉(zhuǎn)移頭襯底基板上依次形成第一金屬層以及位于第一金屬層上方的第二金屬層，第一金屬層的刻蝕率大于第二金屬層的刻蝕率；

S02：在步驟S01的基礎(chǔ)上進(jìn)行涂膠、曝光和顯影形成陣列排布且位于第二金屬層上方的第一光阻層開孔；

S03：采用刻蝕工藝將第一光阻層開孔下方的第一金屬層和第二金屬層刻蝕形成梯形凹槽；

S04：剝離第一光阻層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的微型器件轉(zhuǎn)移頭的制造方法，其特征在于，在步驟S01之前對所述轉(zhuǎn)移頭襯底基板表面進(jìn)行粗糙化處理。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的微型器件轉(zhuǎn)移頭的制造方法，其特征在于，所述梯形凹槽內(nèi)部的刻蝕角度通過調(diào)整金屬的厚度進(jìn)行控制。