[發(fā)明專利]帶有錐形孔的薄膜及制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010093650.0 | 申請日： | 2020-02-14 |
| 公開（公告）號： | CN111187009A | 公開（公告）日： | 2020-05-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 不公告發(fā)明人 | 申請（專利權(quán)）人： | 金華伏安光電科技有限公司 |
| 主分類號： | C03C17/36 | 分類號： | C03C17/36;C03C17/38;G02B1/10 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 322200 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 帶有 錐形 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種帶有錐形孔的薄膜，其特征在于，所述薄膜包括：基底、第一銀薄膜、小球結(jié)構(gòu)層和第二銀薄膜；
所述第一銀薄膜設(shè)置在所述基底的一側(cè)，所述小球結(jié)構(gòu)層設(shè)置在所述第一銀薄膜遠(yuǎn)離所述基底的一側(cè)，所述第二銀薄膜設(shè)置在所述小球結(jié)構(gòu)層遠(yuǎn)離所述第一銀薄膜的一側(cè)，其中，所述第二銀薄膜上設(shè)置有多個錐形孔，所述錐形孔用于入射光進(jìn)入，所述錐形孔靠近所述基底的一端的直徑小于遠(yuǎn)離所述基底一端的直徑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述基底的材料為二氧化硅。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述小球結(jié)構(gòu)層的材料為聚苯乙烯。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述第二銀薄膜的厚度為24納米-120納米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述小球結(jié)構(gòu)層中的小球直徑為500納米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述第二銀薄膜上的多個所述錐形孔的最窄處的直徑為50納米。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述薄膜還包括石墨烯層，所述石墨烯層設(shè)置在所述第二銀薄膜遠(yuǎn)離所述基底的一側(cè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述第二銀薄膜遠(yuǎn)離所述基底的一側(cè)設(shè)置有多個銀顆粒。
9.一種帶有錐形孔的薄膜制備方法，應(yīng)用于權(quán)利要求1-8任意一項所述的薄膜，其特征在于，所述方法包括：
使用鍍膜技術(shù)在基底的一側(cè)鍍銀，使得所述基底上形成第一銀薄膜；
使用氣液界面技術(shù)將小球溶液中的小球附著在所述第一銀薄膜上；
使用傾斜角沉積技術(shù)在小球上鍍一層銀。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的帶有錐形孔的薄膜制備方法，其特征在于，所述使用鍍膜技術(shù)在基底的一側(cè)鍍銀，使得所述基底上形成第一銀薄膜之前還包括：
使用丙酮酒精溶液將所述基底清洗25分鐘；
使用去離子水對基底進(jìn)行清洗；
將所述基底浸泡在過氧化氫和硫酸的混合溶液中。
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