[發(fā)明專利]含錫陣列結(jié)構(gòu)的電極的制備及應(yīng)用

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010093550.8
• 申請(qǐng)日: 2020-02-14
• 公開（公告）號(hào): CN111276672B
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 倪江鋒;朱曉翠;孫夢(mèng)雷;李亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州大學(xué)
• 主分類號(hào): H01M4/1395
• 分類號(hào): H01M4/1395;H01M4/04;H01M4/134;H01M10/054;B82Y40/00;B82Y30/00
• 代理公司: 蘇州市中南偉業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32257
• 代理人: 蘇張林

1.一種含錫陣列結(jié)構(gòu)的電極的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)以清洗干凈的銅基底為工作電極，以含有錫離子和模板劑的溶液為電解液，采用三電極體系進(jìn)行恒流電沉積，以在銅基底表面形成錫陣列結(jié)構(gòu)；所述電解液中的溶劑包括有機(jī)溶劑和水，所述有機(jī)溶劑與水的體積比為0.1～10:1；所述錫離子的濃度為0.01～0.2M；所述模板劑與錫離子的濃度之比為0.5～5:1；所述模板劑為檸檬酸三鈉、鹽酸乙二胺和聚乙烯吡咯烷酮中的一種或幾種；所述恒流電沉積的工作電流密度為0.01～0.04A/cm²；沉積時(shí)間為5～60min；

(2)將經(jīng)步驟(1)處理后的基底在真空或非氧化氣體中于80～230°C下進(jìn)行退火處理，得到所述含錫陣列結(jié)構(gòu)的電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：在步驟(1)之前，采用草酸溶液、水和酒精超聲清洗銅基底以得到所述清洗干凈的銅基底。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：在步驟(1)中，所述三電極體系以碳電極或鉑電極為對(duì)電極；所述三電極體系以Ag/AgCl電極或甘汞電極為參比電極。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：在步驟(1)中，所述有機(jī)溶劑選自乙二醇、二甘醇和丙三醇中的一種或幾種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：在步驟(1)中，所述錫離子來源于四氯化錫、氯化亞錫和草酸亞錫中的一種或幾種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：在步驟(2)中，所述非氧化氣體選自氬氣、氮?dú)夂秃庵械囊环N或幾種。

7.一種權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的制備方法所制備的含錫陣列結(jié)構(gòu)的電極，其特征在于：包括銅基底以及位于銅基底表面的錫陣列結(jié)構(gòu)，所述銅基底與錫陣列結(jié)構(gòu)之間形成有銅錫合金。

8.權(quán)利要求7所述的含錫陣列結(jié)構(gòu)的電極作為鈉離子電池負(fù)極的應(yīng)用。