[發明專利]半導體結構及其制造方法

有效

• 申請號: 202010093325.4
• 申請日: 2020-02-14
• 公開（公告）號: CN113130378B
• 公開（公告）日: 2022-11-08
• 發明（設計）人: 南昌鉉;呂寅準
• 申請（專利權）人: 夏泰鑫半導體（青島）有限公司
• 主分類號: H01L21/764
• 分類號: H01L21/764
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 彭輝劍;龔慧惠

1.一種半導體結構，其特征在于，包括：

具有多個主動區的襯底；

隔離結構，其設置在相鄰的一對所述主動區之間；

絕緣層，其設置在相鄰的一對所述主動區之間的所述隔離結構上；

布置在所述主動區上的至少兩信號線結構；

絕緣襯層，其共形地形成在所述信號線結構的側壁上；

側壁間隔物，其布置在所述絕緣襯層上方并分別在每一所述信號線結構的兩側；

設置在相鄰所述側壁間隔物之間的隱埋觸點與焊盤，且焊盤的一部分位于兩相鄰的所述信號線結構之間的兩所述側壁間隔物相對的一側；和

帽襯層，其位于所述側壁間隔物中的相應一者上方，并與所述焊盤的側面接觸；

其中，在所述信號線結構和所述側壁間隔物之間形成有氣隙，

其中，所述氣隙具有呈漏斗形的截面形狀。

2.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，其中，所述隱埋觸點的一部分形成在所述絕緣層下方。

3.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，其中所述隱埋觸點的截面形狀呈靴形。

4.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，其中，所述氣隙具有上部區域和下部區域，所述上部區域的寬度大于所述下部區域的寬度。

5.根據權利要求4所述的結構，其特征在于，其中，所述上部區域的高度小于20nm。

6.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，其中，所述帽襯層的厚度在從20埃至200埃的范圍內。

7.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，其中，所述帽襯層的底表面為實質平面。

8.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，其中，所述帽襯層的底表面為實質彎曲面。

9.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，還包括：

填充物，其設置在所述側壁間隔物和所述絕緣襯層之間，所述填充物的頂表面與所述絕緣層的頂表面呈共平面。

10.一種形成半導體結構的方法，其特征在于，包括：

提供具有主動區域的襯底；

在所述主動區域之間形成隔離結構；

在所述襯底上形成絕緣層；

在所述襯底的主動區上形成至少兩信號線結構；

在每一所述信號線結構的側壁上形成第一隔離物和第二隔離物；

在所述襯底上形成與所述主動區域電性連接的隱埋觸點；

在所述信號線結構和所述隱埋觸點上方形成焊盤，且焊盤的一部分位于兩相鄰的所述信號線結構之間的兩側壁間隔物相對的一側；

移除所述第一隔離物；

在相鄰所述焊盤之間形成犧牲填充物；

在所述犧牲填充物上形成帽襯層；和

去除所述犧牲填充物以形成氣隙，該氣隙具有漏斗形狀。