[發(fā)明專利]電子裝置以及發(fā)光單元

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010093294.2
• 申請日: 2020-02-14
• 公開（公告）號: CN111987083A
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 顏子旻;謝朝樺
• 申請（專利權(quán)）人: 群創(chuàng)光電股份有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L33/62;H01L33/44
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 羅英;臧建明

1.一種電子裝置，其特征在于，包括：

基板；以及

至少一發(fā)光單元，配置于所述基板上，且所述至少一發(fā)光單元包括：

第一發(fā)光二極管；

第二發(fā)光二極管；

導(dǎo)電層；以及

有機層，所述有機層配置于所述第一發(fā)光二極管與所述導(dǎo)電層之間，且所述有機層包括至少二通孔；

其中所述導(dǎo)電層通過所述至少二通孔電性連接所述第一發(fā)光二極管及所述第二發(fā)光二極管。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述第一發(fā)光二極管具有第一p型電極和第一n型電極，所述第二發(fā)光二極管具有第二p型電極和第二n型電極，且所述導(dǎo)電層電性連接所述第一發(fā)光二極管的所述第一p型電極和所述第二發(fā)光二極管的所述第二n型電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子裝置，其特征在于，還包括：

至少一第一接墊以及至少一第二接墊，分別配置于所述基板上，其中所述至少一第一接墊電性連接至所述第一發(fā)光二極管的所述第一n型電極，且所述至少一第二接墊電性連接至所述第二發(fā)光二極管的所述第二p型電極。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子裝置，其特征在于，所述至少一發(fā)光單元還包括：

第一導(dǎo)電墊，配置于所述第一發(fā)光二極管上；以及

第二導(dǎo)電墊，配置于所述第二發(fā)光二極管上，其中所述第一n型電極通過所述第一導(dǎo)電墊電性連接至所述至少一第一接墊，且所述第二p型電極通過所述第二導(dǎo)電墊電性連接至所述至少一第二接墊。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述至少一發(fā)光單元為覆晶型發(fā)光單元。

6.一種發(fā)光單元，其特征在于，包括：

第一發(fā)光二極管；

第二發(fā)光二極管；

導(dǎo)電層；以及

有機層，所述有機層配置于所述第一發(fā)光二極管與所述導(dǎo)電層之間，且所述有機層包括至少二通孔；

其中所述導(dǎo)電層通過所述至少二通孔電性連接所述第一發(fā)光二極管及所述第二發(fā)光二極管。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光單元，其特征在于，所述第一發(fā)光二極管具有第一p型電極和第一n型電極，所述第二發(fā)光二極管具有第二p型電極和第二n型電極，且所述導(dǎo)電層電性連接所述第一發(fā)光二極管的所述第一p型電極和所述第二發(fā)光二極管的所述第二n型電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光單元，其特征在于，所述發(fā)光單元為覆晶型發(fā)光單元。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光單元，其特征在于，所述有機層的最大厚度大于所述第一發(fā)光二極管的最大高度。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光單元，其特征在于，所述第一發(fā)光二極管與所述第二發(fā)光二極管之間的最小間距為1.5微米至10微米。