[發明專利]一種光罩盒及光罩儲存柜有效
| 申請號: | 202010093165.3 | 申請日: | 2020-02-14 |
| 公開(公告)號: | CN112838035B | 公開(公告)日: | 2022-12-30 |
| 發明(設計)人: | 劉智龍;權炳仁;李大燁 | 申請(專利權)人: | 夏泰鑫半導體(青島)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673;B03C3/04;B65D25/10 |
| 代理公司: | 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334 | 代理人: | 彭輝劍;龔慧惠 |
| 地址: | 266000 山東省青島市黃島區*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 光罩盒 儲存 | ||
1.一種儲存柜,用于存放復數光罩盒,其特征在于,所述光罩盒用于容納一光罩組件,所述光罩組件包含一光罩以及一防塵薄膜覆蓋于所述光罩上;所述儲存柜包含:
一主架構,具有一內部空間及至少一光罩盒支撐架設置于所述內部空間;其中,所述光罩盒支撐架將所述內部空間分隔成復數儲存室對應于所述復數光罩盒;所述復數儲存室用于放置對應的所述光罩盒;以及
一靜電產生器,連接于所述光罩組件;所述靜電產生器用于產生一靜電至所述光罩組件;所述靜電產生器產生之靜電于正電和負電之間交替改變,所述靜電以一固定頻率交替改變以使光罩與防塵薄膜之間的帶電粒子因靜電排斥力而與光罩與防塵薄膜的表面保持一定的距離。
2.如權利要求1所述之儲存柜,其特征在于,所述靜電交替改變的頻率為每分鐘6至600次。
3.如權利要求1所述之儲存柜,其特征在于,所述光罩組件之光罩包含一穿透層以及一金屬層設置于所述穿透層之一面上;所述防塵薄膜覆蓋住所述光罩之金屬層。
4.如權利要求3所述之儲存柜,其特征在于,所述光罩之穿透層為一石英層或一鈉鈣玻璃層。
5.如權利要求3所述之儲存柜,其特征在于,所述光罩之金屬層為一鉻金屬層。
6.如權利要求3所述之儲存柜,其特征在于,每一所述光罩盒包含:
一盒狀結構,用于容納所述光罩組件;以及
復數光罩支撐架位于所述盒狀結構中,用來支撐所述光罩組件。
7.如權利要求6所述之儲存柜,其特征在于,所述復數光罩支撐架用于支撐所述光罩之穿透層。
8.一種用于容納一光罩組件之光罩盒,其特征在于,所述光罩組件包含一光罩以及一防塵薄膜覆蓋于所述光罩上,所述光罩盒包含:
一盒狀結構,用于容納所述光罩組件;
復數光罩支撐架位于所述盒狀結構中,用來支撐所述光罩組件;以及
一靜電產生器,連接于所述光罩組件;所述靜電產生器用于產生一靜電至所述光罩組件;所述靜電產生器產生之靜電于正電和負電之間交替改變,所述靜電以一固定頻率交替改變以使光罩與防塵薄膜之間的帶電粒子因靜電排斥力而與光罩與防塵薄膜的表面保持一定的距離。
9.如權利要求8所述之光罩盒,其特征在于,所述靜電交替改變的頻率為每分鐘6至600次。
10.如權利要求8所述之光罩盒,其特征在于,所述光罩組件之光罩包含一穿透層以及一金屬層設置于所述穿透層一面上;所述防塵薄膜覆蓋住所述光罩之金屬層。
11.如權利要求10所述之光罩盒,其特征在于,所述光罩之穿透層為一石英層或一鈉鈣玻璃層。
12.如權利要求10所述之光罩盒,其特征在于,所述光罩之金屬層為一鉻金屬層。
13.如權利要求10所述之光罩盒,其特征在于,所述復數光罩支撐架用于支撐所述光罩之穿透層。
14.一種儲存復數光罩組件的方法,其特征在于,每一所述光罩組件包含一光罩以及一防塵薄膜覆蓋于所述光罩上,所述方法包含:
提供一用于儲存復數光罩盒之儲存柜;其中,每一所述光罩盒用來儲存一光罩組件;所述儲存柜包含一具有一內部空間之主架構、至少一光罩盒支撐架設置于所述內部空間、以及一與所述光罩組件相連接之靜電產生器;所述光罩盒支撐架將所述內部空間分隔成復數儲存室對應于所述復數光罩盒;所述復數儲存室用于放置對應的所述光罩盒;
所述靜電產生器產生一靜電至所述光罩組件上;以及
在正電和負電之間以一固定頻率交替改變所述靜電以使光罩與防塵薄膜之間的帶電粒子因靜電排斥力而與光罩與防塵薄膜的表面保持一定的距離。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





