[發(fā)明專利]一種具有縱向分離陽極的SA-LIGBT器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010092899.X
• 申請日: 2020-02-14
• 公開（公告）號: CN111326576B
• 公開（公告）日: 2023-03-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳偉中;李順;黃垚;黃元熙;黃義;賀利軍;張紅升
• 申請（專利權(quán)）人: 重慶郵電大學(xué)
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06;H01L29/08
• 代理公司: 北京同恒源知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11275
• 代理人: 趙榮之

1.一種具有縱向分離陽極的SA-LIGBT器件，其特征在于：包括SOI結(jié)構(gòu)和設(shè)置在所述SOI結(jié)構(gòu)上的頂層半導(dǎo)體區(qū)域，所述SOI結(jié)構(gòu)從下至上包括P型襯底(9)、絕緣介質(zhì)層(8)、N型漂移區(qū)(7)，所述頂層半導(dǎo)體區(qū)域包括陰極金屬(1)、P型重?fù)诫s陰極區(qū)(5)、N型重?fù)诫s陰極區(qū)(2)、柵氧化層(3)、柵極(4)、P-body(6)和陽極區(qū)域；柵氧化層(3)位于柵極(4)下；所述N型重?fù)诫s陰極區(qū)(2)位于P型重?fù)诫s陰極區(qū)(5)右側(cè)，所述陰極金屬(1)位于P型重?fù)诫s陰極區(qū)(5)和N型重?fù)诫s陰極區(qū)(2)上側(cè)，所述柵氧化層(3)位于陰極金屬(1)右方，所述柵極(4)設(shè)置在柵氧化層(3)上側(cè)，所述P型重?fù)诫s陰極區(qū)(5)和N型重?fù)诫s陰極區(qū)(2)均被P-body(6)包圍；陽極區(qū)域和P-body(6)之間被N型漂移區(qū)(7)隔離；

所述陽極區(qū)域包括N型緩沖層(10)、P型重?fù)诫s陽極區(qū)(11)、陽極金屬(12)、陽極介質(zhì)隔離層(13)、N型重?fù)诫s陽極區(qū)(14)；

所述P型重?fù)诫s陽極區(qū)(11)位于N型緩沖層(10)右側(cè)，且被N型緩沖層(10)包裹；陽極金屬(12)位于器件表面和內(nèi)部，在表面與P型重?fù)诫s陽極區(qū)(11)和陽極介質(zhì)隔離層(13)的上方接觸，在內(nèi)部與陽極介質(zhì)隔離層(13)的右側(cè)和N型重?fù)诫s陽極區(qū)(14)上方相接觸；陽極介質(zhì)隔離層(13)位于N型緩沖層(10)右側(cè)，且在器件內(nèi)部將N型緩沖層(10)和陽極金屬(12)隔離；

所述N型重?fù)诫s陽極區(qū)(14)與陽極金屬(12)的下方相接觸，其橫向?qū)挾扰c陽極金屬(12)在器件內(nèi)部的橫向?qū)挾纫恢拢?/p>

還包括P型浮空層(15)，所述P型浮空層(15)設(shè)置在N型重?fù)诫s陽極區(qū)(14)下端。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有縱向分離陽極的SA-LIGBT器件，其特征在于：所述P型浮空層(15)設(shè)置在陽極介質(zhì)隔離層(13)下端，并與N型重?fù)诫s陽極區(qū)(14)接觸。

3.根據(jù)權(quán)利要求1-2任一所述的具有縱向分離陽極的SA-LIGBT器件，其特征在于：所述絕緣介質(zhì)層(8)和陽極介質(zhì)隔離層(13)的材料為二氧化硅，陰極金屬(1)和陽極金屬(12)的材料為銅或鋁，柵極(4)的材料為銅、鋁或多晶硅。