[發(fā)明專利]一種具有多晶硅耐壓層的逆導型RC-LIGBT器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010092684.8 | 申請日： | 2020-02-14 |
| 公開（公告）號： | CN111276537A | 公開（公告）日： | 2020-06-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 黃東;易波;孔謀夫;程駿驥;黃海猛;趙青;楊瑞豐;藺佳 | 申請（專利權(quán)）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L29/739 | 分類號： | H01L29/739;H01L27/07 |
| 代理公司： | 電子科技大學專利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 具有 多晶 耐壓 逆導型 rc ligbt 器件 | ||
1.一種具有多晶硅耐壓層的逆導型RC-LIGBT器件，其元胞結(jié)構(gòu)包括：
半導體襯底層1，位于襯底層1上的埋氧層2，位于埋氧層上的半導體層，位于半導體層上的多晶硅耐壓層；
所述半導體層包括：位于半導體層一側(cè)的P型半導體基區(qū)6、位于半導體層另一側(cè)的N型半導體緩沖區(qū)14、位于P型半導體基區(qū)6和N型半導體緩沖層14之間的表面耐壓區(qū)3、以及覆蓋于表面耐壓區(qū)3上方的氧化層17；所述P型半導體基區(qū)6由兩個槽柵分割為三個子區(qū)，每個子區(qū)內(nèi)分別設(shè)置有與槽柵相接觸的重摻雜N型半導體區(qū)4、及與重摻雜N型半導體區(qū)4鄰接的重摻雜P型半導體區(qū)5，所述重摻雜P型半導體區(qū)5與重摻雜N型半導體區(qū)4上均覆蓋有發(fā)射極金屬10，所述兩個槽柵由重摻雜的N型多晶硅區(qū)7和外層氧化層8組成，所述重摻雜的N型多晶硅區(qū)7上均覆蓋有柵電極金屬9；所述N型半導體緩沖區(qū)14內(nèi)設(shè)置有P型集電極區(qū)15，所述P型集電極15上覆蓋有集電極金屬16；
所述多晶硅耐壓層由重摻雜的P型多晶硅區(qū)11、P型多晶硅區(qū)12和重摻雜N型多晶硅區(qū)13組成，并位于氧化層17上方；所述重摻雜P型多晶硅區(qū)11上方覆蓋有發(fā)射極金屬10，所述重摻雜N型多晶硅區(qū)13上方覆蓋有集電極金屬16。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
