[發(fā)明專利]用于非易失性存儲器中的錯誤校正的快速失效支持

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010092534.7
• 申請日: 2020-02-14
• 公開（公告）號: CN112306736A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發(fā)明（設計）人: 張帆;熊晨榮;呂宣宣;美薩姆·阿沙迪
• 申請（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G06F11/10
• 分類號: G06F11/10
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 趙赫;王璇

本申請公開了一種用于改進非易失性存儲器中的錯誤校正的快速失效支持的裝置、系統(tǒng)及方法。一種示例性方法包括：(a)在快速失效模式中從讀取操作接收碼字，(b)初始配置最大迭代次數(shù)(N_max)和用于多個位翻轉(zhuǎn)閾值的值的集合，以用于對碼字執(zhí)行解碼操作，(c)執(zhí)行多次(N)解碼迭代，每次迭代使用位翻轉(zhuǎn)閾值的子集，(d)計算作為N_max和N之間的差的剩余迭代次數(shù)(N_rem)，(e)基于N_rem和快速失效模式中的讀取操作的延遲要求，重新配置多個位翻轉(zhuǎn)閾值的值的集合以重新開始解碼操作，并且(f)重復操作(c)至(e)，直到碼字被成功解碼或N_rem小于或等于0。

技術(shù)領(lǐng)域

本專利文件通常涉及一種非易失性存儲器裝置，且更具體地，涉及一種非易失性存儲器裝置中的錯誤校正。

背景技術(shù)

數(shù)據(jù)完整性是任何數(shù)據(jù)存儲裝置和數(shù)據(jù)傳輸?shù)闹匾卣鳌Ｍ扑]包括NAND閃速存儲器裝置的各種類型的數(shù)據(jù)存儲裝置使用強錯誤校正碼(ECC)。

固態(tài)驅(qū)動器(SSD)使用多層NAND閃存裝置以供永久存儲。然而，多層NAND閃存裝置在本質(zhì)上是不可靠的，并且通常需要以用于ECC奇偶校驗位的額外存儲空間為代價來使用ECC以允許顯著增加數(shù)據(jù)可靠性。需要愈發(fā)高效的ECC和控制機制，以提供最小的奇偶校驗和延遲要求的最大數(shù)據(jù)保護。

發(fā)明內(nèi)容

所公開的技術(shù)的實施例涉及針對非易失性存儲器裝置中的錯誤校正提供快速失效支持。本文中描述的方法和裝置有利地使得快速失效操作能夠適應ECC解碼器的剩余迭代次數(shù)，同時保持嚴格的延遲要求。

本發(fā)明提供針對非易失性存儲器裝置中的錯誤校正的快速失效支持的方法、裝置及系統(tǒng)。在示例方面，一種用于非易失性存儲器中的改進的錯誤校正的方法包括(a)在快速失效模式中從讀取操作接收碼字；(b)初始地配置最大迭代次數(shù)和用于多個位翻轉(zhuǎn)閾值的值的集合，以用于對碼字執(zhí)行解碼操作；(c)執(zhí)行多次解碼迭代，每次迭代使用位翻轉(zhuǎn)閾值的子集；(d)計算作為最大迭代次數(shù)與已執(zhí)行的多個解碼迭代之間的差的剩余迭代次數(shù)；(e)基于剩余迭代次數(shù)和快速失效模式中的讀取操作的延遲要求，重新配置多個位翻轉(zhuǎn)閾值的值的集合以重新開始解碼操作；并且(f)重復操作(c)至(e)，直到碼字被成功解碼或者剩余迭代次數(shù)小于或等于零。

在另一示例方面，上述方法可以由包括處理器的視頻編碼器設備或視頻解碼器設備實施。

在又一示例方面，這些方法可以以處理器可運行指令的形式來實現(xiàn)并且存儲在計算機可讀程序介質(zhì)上。

可以通過提供以下的一個或多個特征的特定方式來實施本專利文件中描述的主題。

附圖說明

圖1示出存儲器系統(tǒng)的示例。

圖2是示例非易失性存儲器裝置的示圖。

圖3是示出非易失性存儲器裝置的單元電壓電平分布(V_th)的示例示圖。

圖4是示出非易失性存儲器裝置的單元電壓電平分布(V_th)的另一示例示圖。

圖5是示出編程干擾之前和之后的非易失性存儲器裝置的單元電壓電平分布(V_th)的示例示圖。

圖6是示出根據(jù)參考電壓的非易失性存儲器裝置的單元電壓電平分布(V_th)的示例示圖。

圖7是示出位翻轉(zhuǎn)解碼器的操作的流程圖。

圖8是根據(jù)本公開技術(shù)的實施例的位翻轉(zhuǎn)解碼器的示例架構(gòu)。

圖9示出用于改進非易失性存儲器中的錯誤校正的另一示例方法的流程圖。

具體實施方式