[發明專利]半導體裝置用接合線有效
| 申請號： | 202010092527.7 | 申請日： | 2015-09-18 |
| 公開（公告）號： | CN111276460B | 公開（公告）日： | 2021-09-14 |
| 發明（設計）人： | 山田隆;小田大造;榛原照男;宇野智裕 | 申請（專利權）人： | 日鐵新材料股份有限公司;日鐵化學材料株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/49 | 分類號： | H01L23/49 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人： | 楊光軍;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 接合 | ||
1.一種半導體裝置用接合線，具有Cu合金芯材和形成于所述Cu合金芯材的表面的Pd被覆層，其特征在于，
所述接合線含有選自Sb、Bi、Se中的至少1種以上的元素，相對于線整體，所述元素的濃度合計為0.1質量ppm以上且100質量ppm以下，Sb≤10質量ppm、Bi≤1質量ppm，并且相對于線整體含有選自Ni、Zn、Rh、In、Ir、Pt、Ga、Ge中的至少1種以上的元素分別為0.011質量％以上且1.2質量％以下。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置用接合線，其特征在于，相對于線整體，選自Sb、Bi、Se中的至少1種以上的元素的濃度合計為0.5質量ppm以上且100質量ppm以下。
3.根據權利要求1所述的半導體裝置用接合線，其特征在于，相對于線整體，選自Sb、Bi、Se中的至少1種以上的元素的濃度合計為1質量ppm以上且100質量ppm以下。
4.根據權利要求1所述的半導體裝置用接合線，其特征在于，相對于線整體，選自Sb、Bi、Se中的至少1種以上的元素的濃度合計為2質量ppm以上且100質量ppm以下。
5.根據權利要求1所述的半導體裝置用接合線，其特征在于，相對于線整體，選自Sb、Bi、Se中的至少1種以上的元素的濃度合計為80質量ppm以下。
6.根據權利要求1所述的半導體裝置用接合線，其特征在于，所述接合線還含有選自As、Te、Sn中的至少1種以上的元素，相對于線整體，選自Sb、Bi、Se中的至少1種以上的元素和選自As、Te、Sn中的至少1種以上的元素的濃度合計為100質量ppm以下，Sn≤10質量ppm。
7.根據權利要求1所述的半導體裝置用接合線，其特征在于，相對于線整體，選自Ni、Zn、Rh、In、Ir、Pt、Ga、Ge中的至少1種以上的所述元素的濃度分別為0.030質量％以上。
8.根據權利要求1所述的半導體裝置用接合線，其特征在于，相對于線整體，選自Ni、Zn、Rh、In、Ir、Pt、Ga、Ge中的至少1種以上的所述元素的濃度分別為0.050質量％以上。
9.根據權利要求1所述的半導體裝置用接合線，其特征在于，相對于線整體，選自Ni、Zn、Rh、In、Ir、Pt、Ga、Ge中的至少1種以上的所述元素的濃度分別為0.070質量％以上。
10.根據權利要求1所述的半導體裝置用接合線，其特征在于，所述Pd被覆層的厚度為0.015μm以上且0.150μm以下。
11.根據權利要求10所述的半導體裝置用接合線，其特征在于，所述Pd被覆層的厚度為0.02μm以上。
12.根據權利要求10所述的半導體裝置用接合線，其特征在于，所述Pd被覆層的厚度為0.03μm以上。
13.根據權利要求10所述的半導體裝置用接合線，其特征在于，所述Pd被覆層的厚度為0.100μm以下。
14.根據權利要求1所述的半導體裝置用接合線，其特征在于，在所述Pd被覆層上還具有包含Au和Pd的合金表皮層。
15.根據權利要求14所述的半導體裝置用接合線，其特征在于，所述包含Au和Pd的合金表皮層的厚度為0.0005μm以上且0.050μm以下。
16.根據權利要求15所述的半導體裝置用接合線，其特征在于，所述包含Au和Pd的合金表皮層的厚度為0.001μm以上。
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