[發明專利]半導體裝置用接合線在審
| 申請號： | 202010092522.4 | 申請日： | 2015-09-18 |
| 公開（公告）號： | CN111276459A | 公開（公告）日： | 2020-06-12 |
| 發明（設計）人： | 山田隆;小田大造;榛原照男;宇野智裕 | 申請（專利權）人： | 日鐵新材料股份有限公司;日鐵化學材料株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/49 | 分類號： | H01L23/49 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人： | 楊光軍;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 接合 | ||
1.一種半導體裝置用接合線，具有Cu合金芯材和形成于所述Cu合金芯材的表面的Pd被覆層，其特征在于，
所述接合線含有選自As、Te、Sn、Sb、Bi、Se中的至少1種以上的元素，相對于線整體，所述元素的濃度合計為0.1～100質量ppm，Sn≤10質量ppm、Sb≤10質量ppm、Bi≤1質量ppm。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置用接合線，其特征在于，相對于線整體，選自As、Te、Sn、Sb、Bi、Se中的至少1種以上的元素的濃度合計為1～100質量ppm。
3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置用接合線，其特征在于，所述Pd被覆層的厚度為0.015～0.150μm。
4.根據權利要求1～3的任一項所述的半導體裝置用接合線，其特征在于，在所述Pd被覆層上還具有包含Au和Pd的合金表皮層。
5.根據權利要求4所述的半導體裝置用接合線，其特征在于，所述包含Au和Pd的合金表皮層的厚度為0.0005～0.050μm。
6.根據權利要求1～5的任一項所述的半導體裝置用接合線，其特征在于，所述接合線還含有選自Ni、Zn、Rh、In、Ir、Pt、Ga、Ge中的至少1種以上的元素，相對于線整體，所述元素的濃度分別為0.011～1.2質量％。
7.根據權利要求1～6的任一項所述的半導體裝置用接合線，其特征在于，所述Cu合金芯材含有Pd，所述Cu合金芯材中所含的Pd的濃度為0.05～1.2質量％。
8.根據權利要求1～7的任一項所述的半導體裝置用接合線，其特征在于，所述接合線還含有選自B、P、Mg、Ca、La中的至少1種以上的元素，相對于線整體，所述元素的濃度分別為1～100質量ppm。
9.根據權利要求1～8的任一項所述的半導體裝置用接合線，其特征在于，在測定所述接合線表面的晶體取向而得到的測定結果中，相對于所述接合線長度方向角度差為15度以下的晶體取向＜111＞的存在比率以面積率計為30～100％。
10.根據權利要求1～9的任一項所述的半導體裝置用接合線，其特征在于，在所述接合線的最表面存在Cu。
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