[發(fā)明專利]有機發(fā)光裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010091978.9
• 申請日: 2020-02-14
• 公開（公告）號: CN111613736A
• 公開（公告）日: 2020-09-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 許財源;金敬植;金成昱;金瑟雍;裵晟洙
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L51/54
• 分類號: H01L51/54;H01L51/50
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11204
• 代理人: 王達佐;洪欣

1.有機發(fā)光裝置，包括：

第一電極；

面向所述第一電極的第二電極；

有機層，其包括布置在所述第一電極與所述第二電極之間的發(fā)射層以及位于所述第二電極與所述發(fā)射層之間的電子傳輸區(qū)；以及

布置在所述發(fā)射層與所述電子傳輸區(qū)之間的第一輔助層，

其中所述電子傳輸區(qū)包括在所述第二電極與所述第一輔助層之間的空穴阻擋層，所述發(fā)射層包含主體，以及所述第一輔助層包含第一化合物，以及

所述有機發(fā)光裝置滿足等式1，

等式1

T₁(C1)≤T₁(H)，

其中，在等式1中，

T₁(C1)是所述第一化合物的最低激發(fā)三重態(tài)能級，以及

T₁(H)是所述主體的最低激發(fā)三重態(tài)能級；

其中，當(dāng)所述主體和所述第一化合物彼此相同時，所述第一輔助層僅由所述第一化合物構(gòu)成。

2.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中

所述發(fā)射層與所述第一輔助層直接接觸。

3.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中

T₁(H)為3.0eV或小于3.0eV。

4.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中

所述有機發(fā)光裝置進一步包括在所述第一電極與所述發(fā)射層之間的空穴傳輸區(qū)，以及所述空穴傳輸區(qū)包含空穴傳輸材料。

5.如權(quán)利要求4所述的有機發(fā)光裝置，其中

所述空穴傳輸區(qū)包括電子阻擋層。

6.如權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光裝置，其中

所述有機發(fā)光裝置進一步包括在所述電子阻擋層與所述發(fā)射層之間的第二輔助層，以及

所述第二輔助層包含第二化合物并且滿足等式2，

等式2

T₁(C2)≤T₁(H)，

其中，在等式2中，

T₁(C2)是所述第二化合物的最低激發(fā)三重態(tài)能級，以及

T₁(H)是所述主體的最低激發(fā)三重態(tài)能級；

其中，當(dāng)所述主體和所述第二化合物彼此相同時，所述第二輔助層僅由所述第二化合物構(gòu)成。

7.如權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光裝置，其中

所述發(fā)射層與所述第二輔助層直接接觸。

8.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中

所述有機發(fā)光裝置進一步包括在所述第一電極與所述發(fā)射層之間的空穴傳輸區(qū)，

所述空穴傳輸區(qū)包括電子阻擋層，

所述主體是包括空穴傳輸主體和電子傳輸主體的混合主體，

所述空穴傳輸主體分布在所述發(fā)射層中的更接近所述電子阻擋層的側(cè)部，以及

所述電子傳輸主體分布在所述發(fā)射層中的更接近所述空穴阻擋層的側(cè)部。