[發明專利]整流電路以及電源裝置

有效

• 申請號: 202010091768.X
• 申請日: 2020-02-13
• 公開（公告）號: CN111585427B
• 公開（公告）日: 2023-05-23
• 發明（設計）人: 鹽見竹史
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H02M1/32
• 分類號: H02M1/32;H02M3/155
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 董煜晗

在整流電路(1)中，在導通晶體管(AT1)的情況下，電流從電源(AV1)流向線圈(AC1)。然后，在截止晶體管(AT1)的情況下，第二整流元件電流從線圈(AC1)流向第二整流元件(SR1)。

技術領域

以下公開涉及一種整流電路。

背景技術

已知在用于電源電路的整流元件中發生過載電流。該過載電流通過施加阻止整流元件的電流的逆方向電壓而發生。因該過載電流發生電源電路的損耗而進行研究各式各樣的對策方法。

在專利文獻1以及2公開了一種減少過載電流為目的的電路。例如，在專利文獻1所公開的電路中，為了減少過載電路，設有并聯連接在整流元件的二極管和變壓器。在專利文獻2中也公開了與專利文獻1同樣的電路。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2011-36075號公報

專利文獻2：日本特開2013-198298號公報

發明內容

發明所要解決的技術問題

然而，如后述那樣，關于用于減少整流電路中的過載電流的方法，仍有改善的空間。本公開的一形態的目的是有效地減少整流電路中的過載電流。

解決問題的手段

為了解決上述課題，本公開的一形態所涉及的整流電路，是使整流電流從第二端子流向第一端子的整流電路，其特征在于，具備：第三端子，配置在上述第一端子和上述第二端子之間；第一整流元件，連接于上述第一端子和上述第二端子；第二整流元件，連接于上述第一端子和上述第三端子；線圈，連接于上述第三端子和上述第二端子；晶體管，漏極或集電極連接于上述第三端子；以及電源，正極連接于上述第二端子，負極連接于上述晶體管的源極或發射極。

發明效果

依據本公開的一形態所涉及的整流電路，可以有效地減少過載電流。

附圖說明

圖1是表示實施方式1的電源電路的電路結構的圖。

圖2是表示各電壓/電流的波形的圖。

圖3是放大顯示了圖2的各圖表的圖。

圖4(a)～(d)是分別為了說明在第一至第四工序中的各電流的路徑的圖。

圖5是表示在比較例的電源電路中的各電壓/電流的波形的圖。

圖6是表示實施方式2的電源裝置的圖。

具體實施方式

〔實施方式1〕

以下對實施方式1的整流電路1以及電源電路10進行說明。為了便于說明，對與在實施方式1中說明的部件具有相同功能的部件，在以后的各實施方式中，標注相同的附圖標記，不重復對它們的詳細的說明。

(整流電路1的目的)

如上述所述，在整流元件中發生過載電流。已知過載電流主要在具有PN接合的整流元件會發生。

另一方面，作為未具有PN接合的半導體元件的例子,可以列舉SiC-SBD(SchottkyBarrier?Diode)或GaN-HEMT(High?Electron?Mobility?Transistor)等。在這些半導體裝置中不會發生由于PN接合所引起的過載電流。然而，逆方向電壓的施加導致的寄生電容的充電電流作為過載電流流動。整流電路1被創作為了減少這些過載電流為目的。

(用語的定義)

在說明整流電路1之前，在本說明書中，各用語定義如下。