[發(fā)明專利]質(zhì)譜儀的離子激發(fā)檢測方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010091745.9
• 申請日: 2020-02-13
• 公開（公告）號: CN111276385B
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周曉煜;歐陽證
• 申請（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)
• 主分類號: H01J49/02
• 分類號: H01J49/02;H01J49/42
• 代理公司: 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 徐章偉

1.一種質(zhì)譜儀的離子激發(fā)檢測方法，其特征在于，包括如下步驟：

將待檢測離子和信號離子傳輸至離子阱，對所述離子阱施加第一外電場從而將待檢測離子和信號離子囚禁在所述離子阱中；

對所述離子阱施加用于激發(fā)待檢測離子的第二外電場，待測離子和信號離子的庫倫相互作用導(dǎo)致信號離子被拋出，待檢測離子保留在所述離子阱內(nèi)；

信號離子作為待測離子的替身離子被拋出所述離子阱，離子檢測器捕獲信號離子并依據(jù)第二外電場的激發(fā)頻率獲得待檢測離子的質(zhì)荷比。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的質(zhì)譜儀的離子激發(fā)檢測方法，其特征在于，所述第一外電場包括第一直流(DC)電場和射頻(RF)交流電場，在所述離子阱處于預(yù)設(shè)定的第一直流(DC)電場的電壓值a，射頻(RF)交流電場的電壓值q的情況，利用射頻(RF)調(diào)制待檢測離子和信號離子，使得待檢測離子處于勢阱較深的穩(wěn)定區(qū)，信號離子處于勢阱較淺的穩(wěn)定區(qū)邊界。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的質(zhì)譜儀的離子激發(fā)檢測方法，其特征在于，所述待檢測離子處于勢阱較深的穩(wěn)定區(qū)中心。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的質(zhì)譜儀的離子激發(fā)檢測方法，其特征在于，所述第二外電場為交流(AC)電場。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的質(zhì)譜儀的離子激發(fā)檢測方法，其特征在于，所述交流(AC)電場的電壓值小于所述射頻交流電場的電壓值。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的質(zhì)譜儀的離子激發(fā)檢測方法，其特征在于，所述交流(AC)電場的電壓值為所述射頻(RF)交流電場的電壓值1/1000000-1/1000。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的質(zhì)譜儀的離子激發(fā)檢測方法，其特征在于，所述待檢測離子為小分子代謝物、生物大分子、非共價作用離子的其中之一。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的質(zhì)譜儀的離子激發(fā)檢測方法，其特征在于，所述信號離子為小分子代謝物和/或生物大分子。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的質(zhì)譜儀的離子激發(fā)檢測方法，其特征在于，該離子激發(fā)檢測方法運用于離子阱質(zhì)譜儀，其中，所述離子阱為二維離子阱或三維離子阱。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的質(zhì)譜儀的離子激發(fā)檢測方法，其特征在于，所述信號離子的質(zhì)荷比小于所述待檢測離子的質(zhì)荷比。