[發明專利]電壓基準源電路

有效

• 申請號: 202010091655.X
• 申請日: 2020-02-11
• 公開（公告）號: CN111290459B
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發明（設計）人: 葉樂;杜凱旋
• 申請（專利權）人: 杭州未名信科科技有限公司;浙江省北大信息技術高等研究院
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 付婧

1.一種電壓基準源電路，其特征在于，包括：

第一基準源電路單元，用于產生一個第一參考電壓；

第二基準源電路單元，用于產生一個輸出電壓可調的第二參考電壓；

電壓比較器，用于比較第一參考電壓和第二參考電壓的大小，第一基準源電路單元的輸出端與電壓比較器的正輸入端相連，第二基準源電路單元的輸出端與電壓比較器的負輸入端相連；

控制電路單元，電壓比較器的輸出端與控制電路單元的輸入端相連，控制電路單元的第一輸出端與第一基準源電路單元的使能控制信號端相連，控制電路單元的第二輸出端與第二基準源電路單元的輸入控制信號端相連，所述控制電路單元根據所述電壓比較器的輸出來調節所述第二參考電壓和第一基準源電路單元的使能信號；

其中，所述第二基準源電路單元，包括：低閾值NMOS晶體管、中閾值NMOS晶體管、高閾值NMOS晶體管以及開關NMOS晶體管；所述低閾值NMOS晶體管的漏極接電源電壓VDD，低閾值NMOS晶體管的柵極接地，中閾值NMOS晶體管的柵極、漏極接低閾值NMOS晶體管的源極，高閾值NMOS晶體管的柵極接到中閾值NMOS晶體管的柵極，高閾值NMOS晶體管的漏極和中閾值NMOS晶體管的源極接第二參考電壓的輸出端，開關NMOS晶體管的漏極分別接高閾值NMOS晶體管的源極，開關NMOS晶體管的柵極分別接輸入端，開關NMOS晶體管的源極接地。

2.根據權利要求1所述的電壓基準源電路，其特征在于，所述第一基準源電路單元，包括：

NMOS晶體管、第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管、第三PMOS晶體管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻，第一雙極結型晶體管、第二雙極結型晶體管以及運算放大器。

3.根據權利要求2所述的電壓基準源電路，其特征在于，第一基準源電路單元的連接關系，包括：

NMOS晶體管的源極接電源電壓VDD，NMOS晶體管的柵極接使能控制信號端，第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管、第三PMOS晶體管的源極接NMOS晶體管的漏極，第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管、第三PMOS晶體管的柵極全部接在運算放大器的輸出端，第一PMOS晶體管的漏極、運算放大器的正輸入端和第一電阻、第二電阻的一端接在一起，第一電阻的另一端接地，第二電阻的另一端接第二雙極結型晶體管的發射極，第二雙極結型晶體管的基極和集電極接地，第二PMOS晶體管的漏極、運算放大器的負輸入端和第三電阻的一端、第一雙極結型晶體管的發射極接在一起，第三電阻的另一端接地，第一雙極結型晶體管的集電極和基極接地，第三PMOS晶體管的漏極和第四電阻的一端接到第一參考電壓輸出端，第四電阻的另一端接地。

4.一種根據權利要求1-3任意一項所述的電壓基準源電路的自調節方法，其特征在于，包括：

打開第一基準源電路；

電壓比較器判斷所述第一參考電壓和所述第二參考電壓的大小；

當所述第一參考電壓與所述第二參考電壓不相等時，調整所述第二參考電壓，當所述第一參考電壓與所述第二參考電壓相等時，則關閉第一基準源電路；

當第一基準源電路的關閉時間達到預設時間后，重復執行上述步驟。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，還包括：

當第一參考電壓大于第二參考電壓的最大調節值時，第二參考電壓調節到最大值；

當第一參考電壓小于第二參考電壓的最小調節值時，第二參考電壓調節到最小值。