[發(fā)明專利]權(quán)重單元以及存儲器裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010091338.8
• 申請日: 2020-02-13
• 公開（公告）號: CN111640462A
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 萊恩·M·海雀;提塔許·瑞許特;喬治·凱特爾;雷維基·森古普塔;達(dá)爾門達(dá)·帕勒;洪俊顧
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00;G06N3/063
• 代理公司: 北京匯知杰知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11587
• 代理人: 李潔;董江虹

1.一種權(quán)重單元，包括：

第一場效應(yīng)晶體管和第一電阻式存儲器元件，所述第一電阻式存儲器元件連接到所述第一場效應(yīng)晶體管的漏極；

第二場效應(yīng)晶體管和第二電阻式存儲器元件，所述第二電阻式存儲器元件連接到所述第二場效應(yīng)晶體管的漏極，所述第一場效應(yīng)晶體管的所述漏極連接到所述第二場效應(yīng)晶體管的柵極，且所述第二場效應(yīng)晶體管的所述漏極連接到所述第一場效應(yīng)晶體管的柵極；

第三場效應(yīng)晶體管和第三電阻式存儲器元件，所述第三電阻式存儲器元件連接到所述第三場效應(yīng)晶體管的漏極；以及

第四場效應(yīng)晶體管和第四電阻式存儲器元件，所述第四電阻式存儲器元件連接到所述第四場效應(yīng)晶體管的漏極，所述第三場效應(yīng)晶體管的所述漏極連接到所述第四場效應(yīng)晶體管的柵極且所述第四場效應(yīng)晶體管的所述漏極連接到所述第三場效應(yīng)晶體管的柵極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的權(quán)重單元，其中所述第一場效應(yīng)晶體管、所述第二場效應(yīng)晶體管、所述第三場效應(yīng)晶體管以及所述第四場效應(yīng)晶體管包括n型場效應(yīng)晶體管。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的權(quán)重單元，其中所述第一場效應(yīng)晶體管、所述第二場效應(yīng)晶體管、所述第三場效應(yīng)晶體管以及所述第四場效應(yīng)晶體管包括p型場效應(yīng)晶體管。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的權(quán)重單元，其中所述第一電阻式存儲器元件、所述第二電阻式存儲器元件、所述第三電阻式存儲器元件以及所述第四電阻式存儲器元件包括磁性隧道結(jié)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的權(quán)重單元，其中所述第一電阻式存儲器元件、所述第二電阻式存儲器元件、所述第三電阻式存儲器元件以及所述第四電阻式存儲器元件包括電阻式隨機(jī)存取存儲器元件。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的權(quán)重單元，其中所述第一電阻式存儲器元件、所述第二電阻式存儲器元件、所述第三電阻式存儲器元件以及所述第四電阻式存儲器元件包括鐵電隨機(jī)存取存儲器元件。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的權(quán)重單元，其中所述第一電阻式存儲器元件、所述第二電阻式存儲器元件、所述第三電阻式存儲器元件以及所述第四電阻式存儲器元件包括脈沖編碼調(diào)制存儲器元件。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的權(quán)重單元，其中所述第一場效應(yīng)晶體管的源極連接到所述第三電阻式存儲器元件的節(jié)點(diǎn)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的權(quán)重單元，其中所述第二場效應(yīng)晶體管的源極連接到所述第四電阻式存儲器元件的節(jié)點(diǎn)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的權(quán)重單元，還包括到所述第一電阻式存儲器元件的引線的第一外部連接和到所述第二電阻式存儲器元件的引線的第二外部連接。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的權(quán)重單元，還包括到所述第一場效應(yīng)晶體管的源極的第三外部連接和到所述第二場效應(yīng)晶體管的源極的第四外部連接。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的權(quán)重單元，其中所述權(quán)重單元基于所述第一電阻式存儲器元件的電導(dǎo)、所述第二電阻式存儲器元件的電導(dǎo)、所述第三電阻式存儲器元件的電導(dǎo)以及所述第四電阻式存儲器元件的電導(dǎo)產(chǎn)生邏輯值。